GROWING OF GERMANIUM CRYSTALS

FIELD: metallurgy.SUBSTANCE: this process comprises growing of germanium crystals from the melt containing the main alloying admixture, stibium, and two extra admixtures, silicon and tellurium, added to the melt in amounts to their concentration therein of 0.5·10-1.2·10cmand 1·10-5·10cm, respectivel...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: PODKOPAEV OLEG IVANOVICH, SHIMANSKIJ ALEKSANDR FEDOROVICH, FILATOV ROMAN ANDREEVICH
Format: Patent
Sprache:eng ; rus
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext bestellen
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Beschreibung
Zusammenfassung:FIELD: metallurgy.SUBSTANCE: this process comprises growing of germanium crystals from the melt containing the main alloying admixture, stibium, and two extra admixtures, silicon and tellurium, added to the melt in amounts to their concentration therein of 0.5·10-1.2·10cmand 1·10-5·10cm, respectively.EFFECT: higher thermal stability of optical properties.1 tbl Изобретение относится к металлургии полупроводников, в частности к электронной и металлургической отраслям промышленности, и может быть использовано при производстве монокристаллов германия. Способ включает выращивание кристаллов германия из расплава, содержащего основную легирующую примесь - сурьму и две дополнительные - кремний и теллур, которые вводят в расплав в количествах, обеспечивающих их концентрацию в расплаве 0,5·10-1,2·10сми 1·10-5·10смсоответственно. Техническим результатом изобретения является повышение термостабильности оптических свойств выращиваемых кристаллов германия. 1 табл.