LASER-THYRISTOR

FIELD: physics, optics.SUBSTANCE: invention can be used to generate a controlled sequence of high-power laser pulses. The laser-thyristor includes a cathode region (1), which includes an n-type substrate (2), a wide-band gap n-type layer (3), an anode region (4), which includes a p-type contact layer (5), a wide-band gap p-type layer (6), which is also the optical confinement layer of the laser heterostructure and the emitter, which injects holes into the active region (13), a first base region (7), a p-type layer (8), a second base region (9), an n-type layer (10), a waveguide region (12), Fabry-Perot optical resonator, formed naturally by a cleavage surface (14) coated with an antireflecting coating and naturally by a cleavage surface (15), a first ohmic contact (16), a second ohmic contact (18), a meso-channel (19), a third ohmic contact (20), wherein parameters of the materials of the layers of the first and second base regions satisfy certain expressions.EFFECT: increasing peak output optical power and reducing the amplitude of the control signal.4 cl, 4 dwg Использование: для получения управляемой последовательности мощных лазерных импульсов. Сущность изобретения заключается в том, что лазер-тиристор содержит катодную область (1), включающую подложку n-типа проводимости (2), широкозонный слой n-типа проводимости (3), анодную область (4), включающую контактный слой p-типа проводимости (5), широкозонный слой p-типа проводимости (6), одновременно являющийся слоем оптического ограничения лазерной гетероструктуры и эмиттером, инжектирующим дырки в активную область (13), первую базовую область (7), слой p-типа проводимости (8), вторую базовую область (9), слой n-типа проводимости (10), волноводную область (12), оптический Фабри-Перо резонатор, образованный естественно сколотой гранью (14) с нанесенным просветляющим покрытием и естественно сколотой гранью (15), первый омический контакт (16), второй омический контакт (18), мезаканавку (19), третий омический контакт (20), при этом параметры материалов слоев первой и второй базовых областей удовлетворяют определенным выражениям. Технический результат: обеспечение возможности увеличения пиковой выходной оптической мощности и снижение амплитуды сигнала управления. 3 з.п. ф-лы, 4 ил.