HIGH-FREQUENCY SUPERCONDUCTING MEMORY ELEMENT

FIELD: electricity.SUBSTANCE: high-frequency superconducting memory element having planar, end face or bridge geometry consists of two superconducting electrodes and a region of weak interconnection, which includes magnetic layers with direct, tunnel or resonant conductivity and a superconducting layer between them. Difference from previously known Josephson SFS structures consists in the fact that at variation of direction of magnetisation of one of the magnetic layers in a superconducting film localised in the region of weak interconnection between magnetic layers a phase transition from a normal state to a superconducting state or from a superconducting state to a normal state occurs.EFFECT: increase of variation of an amplitude of critical transition current under action of a low magnetic flux in comparison to previous geometries, which provides possibilities for miniaturisation of superconducting memory elements, as well as a possibility of rather high specific feature of a Josephson heterostructure, and as a result, rather high quick action of a memory element on its basis.16 cl, 6 dwg Технический результат изобретения состоит в увеличении изменения амплитуды критического тока перехода под действием малого магнитного потока по сравнению с предыдущими геометриями, что открывает возможности для миниатюризации сверхпроводящих элементов памяти. Дополнительный технический результат изобретения состоит в возможности обеспечить достаточно высокую характерную частоту джозефсоновской гетероструктуры, и, как следствие, достаточно высокое быстродействие элемента памяти на ее основе. Высокочастотный сверхпроводящий элемент памяти, выполненный в планарной, торцевой или мостиковой геометрии, состоит из двух сверхпроводящих электродов и области слабой связи, включающей магнитные слои с непосредственной, туннельной или резонансной проводимостью и сверхпроводящий слой между ними. Отличие от известных ранее джозефсоновских SFS структур состоит в том, что при изменении направления намагниченности одного из магнитных слоев в сверхпроводящей пленке, локализованной в области слабой связи между магнитными слоями, происходит фазовый переход из нормального состояния в сверхпроводящее или из сверхпроводящего в нормальное. 15 з.п. ф-лы, 6 ил.