MANUFACTURING METHOD OF NANO- AND MICRO-SIZED SYSTEM OF SENSOR OF PHYSICAL VALUES WITH SPECIFIED POSITIVE TEMPERATURE COEFFICIENT OF RESISTANCE OF RESISTIVE ELEMENTS

FIELD: measurement equipment.SUBSTANCE: manufacturing method consists in the fact that on a planar side of an elastic element there formed by means of a vacuum sputtering method is a heterogeneous structure from nano- and micro-sized films of materials, which contains thin-film dielectric, resistive and contact layers. By using photolithography and etching there formed are strain elements (strain gauges), contact conductors and contact platforms to them. A piezoresistive layer is formed by means of a method of magnetron sputtering in a vacuum chamber with simultaneous use of two targets from nickel and titanium. The elastic element is installed onto a carrousel and heated; argon pressure is created, and then, the carrousel is rotated with the specified density of currents in sputtering zones of the first and the second targets; then, the elastic element with the piezoresistive layer applied onto it is exposed in vacuum at increased temperature during several hours.EFFECT: possibility of controlled synthesis of thin-film resistive elements of nano- and micro-sized systems of sensors of physical values with the specified value of temperature coefficient of resistance.7 dwg Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для изготовления тонкопленочных нано- и микроразмерных систем датчиков различных физических величин, предназначенных для прецизионных измерений. Оно обеспечивает возможность управляемого синтеза тонкопленочных резистивных элементов (тензорезисторов, терморезисторов) нано- и микроразмерных систем датчиков физических величин с заданным значением температурного коэффициента сопротивления (ТКС). Способ изготовления заключается в том, что на планарной стороне упругого элемента методом вакуумного распыления образуют гетерогенную структуру из нано- и микроразмерных пленок материалов, содержащую тонкопленочные диэлектрические, резистивные и контактные слои. С использованием фотолитографии и травления формируют тензоэлементы (тензорезисторы), контактные проводники и контактные площадки к ним. Тензорезистивный слой формируют методом магнетронного распыления в вакуумной камере с одновременным использованием двух мишеней из никеля и титана. Упругий элемент устанавливают на карусель, нагревают, создают давление аргона, а затем вращают карусель с заданной плотностью токов в зонах распыления первой и второй мишеней, затем упругий элемент с нанесенным на него тензорезистивным слоем выдерживают в вакууме при повышенной температуре в те