FORMING IRREVERSIBLE STATE IN SINGLE-BIT CELL HAVING FIRST MAGNETIC TUNNEL JUNCTION AND SECOND MAGNETIC TUNNEL JUNCTION

FIELD: physics, computer engineering.SUBSTANCE: invention relates to computer engineering. A method of forming an irreversible state in a single-bit cell, comprising applying programming voltage to a first magnetic tunnel junction (MTJ) of a single-bit cell without applying programming voltage to a second MTJ of the single-bit cell to form an irreversible state in the single-bit cell; and determining the irreversible state by comparing a first value read from the first MTJ and received at the first input of a differential amplifier with a second value read from the second MTJ and received at the second input of the differential amplifier, wherein the first value corresponds to the first voltage of a first bit line connected to the first MTJ, and the second value corresponds to the second voltage of a second bit line connected to the second MTJ.EFFECT: enabling high-speed programming of a single-bit cell.34 cl, 7 dwg Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в обеспечении высокоскоростного программирования одноразрядной ячейки. Способ формирования необратимого состояния в одноразрядной ячейке, в котором применяют программирующее напряжение к первому магнитному туннельному переходу (МТП, MTJ) одноразрядной ячейки без применения программирующего напряжения ко второму МТП одноразрядной ячейки для формирования необратимого состояния в одноразрядной ячейке; и определяют необратимое состояние путем сравнения первого значения, считанного с первого МТП и принятого на первом входе дифференциального усилителя, со вторым значением, считанным со второго МТП и принятым на втором входе дифференциального усилителя, причем первое значение соответствует первому напряжению первой разрядной шины, соединенной с первым МТП, а второе значение соответствует второму напряжению второй разрядной шины, соединенной со вторым МТП. 7 н. и 27 з.п. ф-лы, 7 ил.