THICK-FILM RESISTOR FABRICATION METHOD
FIELD: electricity.SUBSTANCE: in this method of fabrication of thick-film resistors which includes consecutive application by the screen printing method on the isolating substrate of conducting and resistive layers with subsequent drying and burning-in in the air atmosphere, on the resistive layer i...
Gespeichert in:
Hauptverfasser: | , , |
---|---|
Format: | Patent |
Sprache: | eng ; rus |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext bestellen |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Zusammenfassung: | FIELD: electricity.SUBSTANCE: in this method of fabrication of thick-film resistors which includes consecutive application by the screen printing method on the isolating substrate of conducting and resistive layers with subsequent drying and burning-in in the air atmosphere, on the resistive layer in addition the main protective layer is applied using the screen printing method with subsequent burning-in. After laser adjustment of resistance of resistors an additional protective layer is applied using the screen printing method. The female contacts are formed by depositing of nickel layer with titan sublayer with the subsequent hot tinning with solder.EFFECT: increase of output of suitable resistors with simultaneous improvement of technical characteristics of resistors.2 cl, 1 dwg, 2 tbl
Изобретение относится к электронной технике, а именно к производству постоянных резисторов, и может быть использовано в электронной, радиотехнической и других смежных отраслях промышленности. В способе изготовления толстопленочных резисторов, включающем последовательное нанесение методом трафаретной печати на изолирующую подложку проводникового и резистивного слоев с последующими сушкой и вжиганием в воздушной атмосфере, на резистивный слой дополнительно наносят основной защитный слой методом трафаретной печати с последующим вжиганием, затем после лазерной подгонки сопротивления резисторов наносят дополнительный защитный слой методом трафаретной печати, затем формируют охватывающие контакты посредством напыления слоя никеля с подслоем титана с последующим горячим лужением припоем. Технический результат от использования изобретения заключается в повышении выхода годных резисторов с одновременным повышением технических характеристик резисторов. 1 з.п. ф-лы, 1 ил., 2 табл. |
---|