SECONDARY ELECTRONIC EMISSION SENSOR

FIELD: instrumentation.SUBSTANCE: invention is used for study of materials surface condition by secondary electronic emission methods. The essence of the invention is that the secondary electronic emission sensor comprises an electrostatic electron energy selector, an electron detector installed at...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: SHAPOSHNIKOV VLADIMIR VLADIMIROVICH, NADIRADZE ANDREJ BORISOVICH
Format: Patent
Sprache:eng ; rus
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext bestellen
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Beschreibung
Zusammenfassung:FIELD: instrumentation.SUBSTANCE: invention is used for study of materials surface condition by secondary electronic emission methods. The essence of the invention is that the secondary electronic emission sensor comprises an electrostatic electron energy selector, an electron detector installed at the selector output and containing series located scintillator designed as a phosphor layer with a control grid and a photoelectronic multiplier with an inlet light transmittance window, and the phosphor layer is applied on the surface of the inlet light transmittance window of the photoelectronic multiplier, and the control grid is placed in this layer, and the grid thickness doesn't exceed the phosphor layer thickness, and its geometrical transparency is within 0.6?0.9.EFFECT: improvement of the sensor sensitivity, and also the possibility to detect separation of electrons by energy groups.3 dwg Использование: для исследования состояния поверхности материалов методами вторичной электронной эмиссии. Сущность изобретения заключается в том, что датчик вторичной электронной эмиссии включает электростатический селектор электронов по энергиям, регистратор электронов, установленный на выходе из селектора и содержащий последовательно расположенные сцинтиллятор в виде слоя люминофора с управляющей металлической сеткой и фотоэлектронный умножитель с входным светопроникающим окном, при этом слой люминофора нанесен на поверхность входного светопроникающего окна фотоэлектронного умножителя, а управляющая сетка размещена внутри этого слоя, при этом толщина сетки не превышает толщины слоя люминофора, а ее геометрическая прозрачность составляет 0,6...0,9. Технический результат: повышение чувствительности датчика, а также обеспечение возможности регистрировать разделение электронов по группам энергий. 3 ил.