IONISING RADIATION MATRIX SENSOR

FIELD: electricity.SUBSTANCE: ionising radiation matrix sensor (sensing element) represents p-i-n structure manufactured by planar technology. The sensor comprises high-ohmic substrate of high-pure impurity-free silicon of n-type conductivity 1 at the front (working) face where p-areas 2, 3, layer 4 (coating) of SiO, aluminium metallisation 5, passivating (protective) layer 6 are placed. Occupying the major par of the surface area, p-areas 2 form sensing area of the sensor. At that number of p-areas 2 forming sensing area of the sensor is equal to 2, where n=1-8. At least two p-areas 3 are made as circular elements (protecting rings) and placed in non-sensing area along periphery of the substrate around the sensing area formed by p-areas 2 thus ensuring reduced value of surface current and smooth drop of potential from the sensing area to the device periphery. In SiOlayer 4 there are windows 7 made to ensure contact of metal (aluminium metallisation) with p-area; in the passivating layer above the p-area in the substrate central part there are windows 8 made to ensure contact with p-n areas in testing process and windows 9 to connect outputs. At the substrate from the side opposite to the front face there is a layer of n-area 10 and metal 11.EFFECT: expanding range of registered energy, reduced dimensions and weight of the sensor.10 cl, 7 dwg Изобретение относится к полупроводниковым приборам для преобразования ионизирующего излучения в электрический сигнал. Сущность изобретения заключается в том, что матричный сенсор (чувствительный элемент) ионизирующего излучения представляет собой p-i-n структуру, выполненную по планарной технологии. Сенсор содержит высокоомную подложку высокочистого БЗП кремния n-типа 1 проводимости, на лицевой (рабочей) стороне которой расположены p-области 2, 3, слой 4 (покрытие) из SiO, алюминиевая металлизация 5, пассивирующий (защитный) слой 6. P-области 2, занимающие большую часть площади поверхности, образуют чувствительную область сенсора. При этом количество p-областей 2, образующих чувствительную область сенсора, выполнено равным 2, где n=1÷8. По крайней мере, две p-области 3, выполненные в виде кольцеобразных элементов (охранных колец), расположены в нечувствительной области по периферии подложки вокруг сформированной p-областями 2 чувствительной области с обеспечением снижения величины поверхностного тока и плавного падения потенциала от чувствительной области к периферии прибора. В слое 4 SiOсформированы окна 7 для обеспе