METHOD OF FORMATION OF THIN-FILM MICROBRIDGES

FIELD: electricity.SUBSTANCE: method of formation of thin-film microbridges is offered, according to which the superconductive material is applied on a substrate through a mask, and the mask are plates from refractory materials of pre-set geometry, between edges of plates at the reference fixed temperature Tthe value of the primary fixed gap d, and its geometry, are formed, the size of the secondary gap is calculated, of the obtained dmicrobridge width depending on the final fixed Ttemperature by the formula d=d-{?L(T-T)+?L(T-T)}-?{(L+L+d)(T-T)}, where: L- the distance from the line of fixing of the first plate to the gap, L- the distance from the line of fixing of the second plate to the gap, T- the reference fixed temperature, T- the final fixed temperature, ?- temperature coefficient of thermal expansion of the first refractory plate, ?- thermal expansion coefficient of the second refractory plate, ?- thermal expansion coefficient of the substrate, then the following is performed: heating, a deposition or laser ablation of superconductive material of the fixed duration t and the fixed energy E determining the final fixed temperature T.EFFECT: operation stability improvement.2 cl, 6 dwg, 1 tbl Изобретение относится к приборам с использованием сверхпроводимости, в частности к приборам с переходом между различными материалами с использованием эффекта Джозефсона. Указанный результат достигается тем, что предложен способ формирования тонкопленочных микромостиков, в котором наносят сверхпроводящий материал на подложку через маску, при этом в качестве маски используют пластины из тугоплавких материалов заданной геометрии, между остриями пластин при начальной фиксированной температуре Tформируют величину первичного фиксированного зазора dи его геометрию, рассчитывают величину вторичного зазора, получаемой ширины микромостика dв зависимости от конечной фиксированной температуры Tпо формулеd=d-{αL(T-T)+αL(T-T)}-α{(L+L+d)(T-T)},где:L- расстояние от линии фиксации первой пластины до зазора,L- расстояние от линии фиксации второй пластины до зазора,T- начальная фиксированная температура,T- конечная фиксированная температура,α- температурный коэффициент теплового расширения первой тугоплавкой пластины,α- температурный коэффициент теплового расширения второй тугоплавкой пластины,α- температурный коэффициент теплового расширения подложки, затем производят: нагрев, напыление или лазерную абляцию сверхпроводящего материала фиксированной длительности t и фиксированной энер