HETEROSTRUCTURE OF MULTIJUNCTION SOLAR ELEMENT

FIELD: power industry.SUBSTANCE: invention relates to semiconductor instruments sensitive to light. A heterostructure includes a substrate made from AlN, on which an arrangement is made for three two-layered components with p-n-junctions between layers, which are adjacent to each other and made from InGaN. Two-layered components are adjacent to each other with tunnel junctions. Width of a prohibited zone of components increases in the direction towards a surface intended for solar energy irradiation. Between the substrate and the two-layered component adjacent to the substrate there provided are relaxation layers made from solid solutions of metals of the third group. Relaxation layers allow reducing mismatch of a crystalline grid of the substrate and the two-layered components. Width of the prohibited zone of the two-layered components meets the following ratio: E:E:E=1:2.23:3.08, where 0.65?E?0.85.EFFECT: due to such ratio of parameters of two-layered components, solar energy is absorbed in the whole range of a solar radiation spectrum, which allows improving conversion efficiency of solar energy to electrical energy.3 cl, 1 dwg, 2 tbl Изобретение относится к полупроводниковым приборам, чувствительным к свету. Гетероструктура содержит подложку, выполненную из AlN, на которой размещено три сопряженных друг с другом выполненных из InGaN двухслойных компонентов с p-n-переходами между слоями. Двухслойные компоненты сопряжены между собой туннельными переходами. Ширина запрещенной зоны компонентов возрастает в направлении к поверхности, предназначенной для облучения солнечной энергией. Между подложкой и смежным с подложкой двухслойным компонентом предусмотрены релаксационные слои, выполненные из твердых растворов металлов третьей группы. Релаксационные слои позволяют уменьшить рассогласование кристаллической решетки подложки и двухслойных компонентов. Ширина запрещенной зоны двухслойных компонентов удовлетворяет соотношению: E:E:E=1:2,23:3,08, где 0,65≤E≤0,85. Благодаря такому соотношению параметров двухслойных компонентов солнечная энергия поглощается во всем диапазоне спектра солнечного излучения, что позволяет повысить эффективность преобразования солнечной энергии в электрическую. 2 з.п. ф-лы, 1 ил., 2 табл.