MULTI-JUNCTION SEMICONDUCTOR SOLAR CELL

FIELD: physics.SUBSTANCE: solar cell comprises a substrate on which there are at least two double-layer components with p-n junctions between the layers, interfaced with each other by at least two intermediate layers. The layers of the double-layer components and intermediate layers are made of a quaternary solid solution of AlInGaN. The intermediate layers and the interfaced fragments of the solar cell have the same band-gap. The double-layer components with p-n junctions between the layers and the intermediate layers interfaced therewith have the same lattice constant. The lattice constant is different in the intermediate layers. In the layers of the double-layer components with p-n junctions, the band-gap is different with a fixed value of the lattice constant.EFFECT: invention improves the efficiency of converting solar radiation.4 cl, 1 dwg, 2 tbl Изобретение относится к полупроводниковым приборам, чувствительным к свету, предназначенным для преобразования света в электрическую энергию, в частности к многопереходным солнечным элементам. Солнечный элемент содержит подложку, на которой размещены, по крайней мере, два двухслойных компонента с p-n-переходами между слоями, сопряженные между собой, по крайней мере, двумя промежуточными слоями. Слои двухслойных компонентов и промежуточные слои выполнены из четверного твердого раствора AlInGaN. Промежуточные слои и сопряженные с ними фрагменты солнечного элемента выполнены с одинаковым значением ширины запрещенной зоны. Двухслойные компоненты с p-n-переходами между слоями и сопряженные с ними промежуточные слои выполнены с одинаковым значением постоянной решетки. В промежуточных слоях постоянная решетки различна. В слоях двухслойных компонентов с p-n-переходами различна ширина запрещенной зоны при фиксированном значении постоянной решетки. Изобретение позволяет повысить эффективность преобразования солнечного излучения. 3 з.п. ф-лы, 1 ил., 2 табл.