METHOD OF OBTAINING RELIEF ON SURFACE
FIELD: physics.SUBSTANCE: disclosed is a method of obtaining a relief on the surface of light-emitting crystals of semiconductor light-emitting diodes using local erosion action on the surface. According to the invention, erosion is carried out through the optical-thermal action of pulsed laser radi...
Gespeichert in:
Hauptverfasser: | , , , , |
---|---|
Format: | Patent |
Sprache: | eng ; rus |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext bestellen |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Zusammenfassung: | FIELD: physics.SUBSTANCE: disclosed is a method of obtaining a relief on the surface of light-emitting crystals of semiconductor light-emitting diodes using local erosion action on the surface. According to the invention, erosion is carried out through the optical-thermal action of pulsed laser radiation which penetrates the crystal, with an absorption depth in the crystal close to the erosion depth, and duration of laser pulses shorter than the propagation time of the thermal wave for heating the crystal at the erosion depth. The laser radiation pulse energy is not less than a value which leads to surface evaporation of the crystal.EFFECT: high efficiency of radiation of light-emitting diodes.2 cl, 1 tbl, 1 dwg
Изобретение относится к микроэлектронике, оптической и оптоэлектронной технике. Cпособ получения рельефа на поверхности светоизлучающих кристаллов полупроводниковых светодиодов локальными эрозионными воздействиями на поверхность, при этом в соответствии с изобретением, эрозия производится оптико-термическим действием импульсного лазерного излучения, проникающего в кристалл, с глубиной поглощения в кристалле, близкой к глубине эрозии, и длительностью лазерных импульсов, меньшей времени распространения тепловой волны нагревания кристалла на глубину эрозии, причем энергия импульса лазерного излучения не менее приводящей к процессу поверхностного испарения кристалла. Изобретение обеспечивает возможность повышения эффективности излучения светодиодов. 1 з.п. ф-лы, 1 табл., 1 ил. |
---|