METHOD OF OBTAINING RELIEF ON SURFACE

FIELD: physics.SUBSTANCE: disclosed is a method of obtaining a relief on the surface of light-emitting crystals of semiconductor light-emitting diodes using local erosion action on the surface. According to the invention, erosion is carried out through the optical-thermal action of pulsed laser radi...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: KUZNETSOV MAKSIM VIKTOROVICH, KOCHKAREV DENIS VJACHESLAVOVICH, CHESNOKOV DMITRIJ VLADIMIROVICH, CHESNOKOV VLADIMIR VLADIMIROVICH, RAJKHERT VALERIJ ANDREEVICH
Format: Patent
Sprache:eng ; rus
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext bestellen
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Beschreibung
Zusammenfassung:FIELD: physics.SUBSTANCE: disclosed is a method of obtaining a relief on the surface of light-emitting crystals of semiconductor light-emitting diodes using local erosion action on the surface. According to the invention, erosion is carried out through the optical-thermal action of pulsed laser radiation which penetrates the crystal, with an absorption depth in the crystal close to the erosion depth, and duration of laser pulses shorter than the propagation time of the thermal wave for heating the crystal at the erosion depth. The laser radiation pulse energy is not less than a value which leads to surface evaporation of the crystal.EFFECT: high efficiency of radiation of light-emitting diodes.2 cl, 1 tbl, 1 dwg Изобретение относится к микроэлектронике, оптической и оптоэлектронной технике. Cпособ получения рельефа на поверхности светоизлучающих кристаллов полупроводниковых светодиодов локальными эрозионными воздействиями на поверхность, при этом в соответствии с изобретением, эрозия производится оптико-термическим действием импульсного лазерного излучения, проникающего в кристалл, с глубиной поглощения в кристалле, близкой к глубине эрозии, и длительностью лазерных импульсов, меньшей времени распространения тепловой волны нагревания кристалла на глубину эрозии, причем энергия импульса лазерного излучения не менее приводящей к процессу поверхностного испарения кристалла. Изобретение обеспечивает возможность повышения эффективности излучения светодиодов. 1 з.п. ф-лы, 1 табл., 1 ил.