TEMPERATURE STABLE RADIATION-RESISTANT REFERENCE-VOLTAGE SOURCE BASED ON DIFFERENTIAL PAIR OF FIELD-EFFECT TRANSISTORS

FIELD: electricity.SUBSTANCE: device comprises the first and second field-effect transistors with control p-n-junction, which sources are jointed, the first resistor coupled between sources of the first and second field-effect transistors, the second resistor coupled between source of the first and field-effect transistor and common bus, the third resistor which is coupled by its first output to power supply bus, the first bipolar transistor coupled by its collector to power supply bus, the fourth and fifth resistor and current source. The second output of the third resistor is coupled to sources of field-effect transistors, gate of the first field-effect transistor is connected to power supply bus, the fourth resistor is coupled between power supply bus and gate of the second field-effect transistor, the fifth resistor is coupled between gate of the second field-effect transistor and emitter of the first bipolar transistor which base is coupled to power supply bus, current source is coupled between emitter of the first bipolar transistor and common bus and drain of the second field-effect transistor is the device output.EFFECT: potential regulation of output voltage in wide range.6 dwg Изобретение относится к области электротехники и может использоваться при проектировании стабилизаторов напряжения, аналого-цифровых и цифроаналоговых преобразователей и других элементов автоматики. Техническим результатом является возможность регулировать выходное напряжение в широких пределах - как ниже ширины запрещенной зоны кремния, так и выше этого напряжения. Для этого устройство содержит первый и второй полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом, истоки которых объединены, первый резистор, включенный между стоками первого и второго полевых транзисторов, второй резистор, включенный между стоком первого полевого транзистора и общей шиной, третий резистор, первым выводом подключенный к шине питания, первый биполярный транзистор, коллектором подключенный к шине питания, затвор первого полевого транзистора подключен к шине питания, четвертый и пятый резисторы и источник тока, причем второй вывод третьего резистора подключен к истокам полевых транзисторов, затвор первого полевого транзистора соединен с шиной питания, четвертый резистор включен между шиной питания и затвором второго полевого транзистора, пятый резистор включен между затвором второго полевого транзистора и эмиттером первого биполярного транзистора, база которого соединена с шиной питания, источник тока