DEPOSITING DOPED ZnO FILMS ON POLYMER SUBSTRATES BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION UNDER UV ACTION

FIELD: chemistry.SUBSTANCE: invention relates to a method of forming a transparent doped layer containing zinc oxide on a polymer substrate for optoelectronic devices and a transparent doped layer. The method includes contacting a polymer substrate with at least one precursor containing a dopant and...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: SMIT ROBERT G, SJUJ CHEHN, KOROTKOV ROMAN JU, SILVERMAN GARI S
Format: Patent
Sprache:eng ; rus
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext bestellen
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Beschreibung
Zusammenfassung:FIELD: chemistry.SUBSTANCE: invention relates to a method of forming a transparent doped layer containing zinc oxide on a polymer substrate for optoelectronic devices and a transparent doped layer. The method includes contacting a polymer substrate with at least one precursor containing a dopant and zinc, and exposing to ultraviolet light during chemical vapour deposition to decompose at least one precursor and deposit a layer on the polymer substrate. The polymer substrate is selected from a group consisting of fluoropolymer resins, polyesters, polyacrylates, polyamides, polyimides and polycarbonates. The contacting step is carried out at pressure approximately equal to atmospheric pressure.EFFECT: providing a chemical vapour deposition method for depositing doped zinc oxide films on polymer substrates for use in optoelectronics.12 cl, 1 tbl, 8 dwg, 2 ex Изобретение относится к способу образования прозрачного легированного слоя, содержащего оксид цинка, на полимерной подложке для оптоэлектронных устройств и прозрачному легированному слою. Способ включает контакт полимерной подложки по меньшей мере с одним прекурсором, содержащим легирующую добавку и цинк, и действие ультрафиолетового света во время процесса химического осаждения из газовой фазы для разложения по меньшей мере одного прекурсора и нанесения слоя на полимерную подложку. Полимерную подложку выбирают из группы, состоящей из фторполимерных смол, сложных полиэфиров, полиакрилатов, полиамидов, полиимидов и поликарбонатов. Стадию контактирования осуществляют при приблизительно атмосферном давлении. Технический результат - разработка способа химического осаждения из газовой фазы для нанесения легированных пленок оксида цинка на полимерные подложки для использования в оптоэлектронике. 2 н. и 10 з.п. ф-лы, 1 табл., 8 ил., 2 пр.