MAGNETIC PHOTONIC CRYSTAL
FIELD: physics.SUBSTANCE: invention refers to optical data processing and can be used for controlling coherent light fluxes in optoelectronic and magnetic photonic devices, data display, storage and transfer systems, etc. A magnetic photonic crystal comprising 3 ?N ?10 pairs of magnetic and non-magn...
Gespeichert in:
Hauptverfasser: | , , |
---|---|
Format: | Patent |
Sprache: | eng ; rus |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext bestellen |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Zusammenfassung: | FIELD: physics.SUBSTANCE: invention refers to optical data processing and can be used for controlling coherent light fluxes in optoelectronic and magnetic photonic devices, data display, storage and transfer systems, etc. A magnetic photonic crystal comprising 3 ?N ?10 pairs of magnetic and non-magnetic layers randomly deposited on one another and enclosing one of the random pairs having the magnetic layer made of BiKFeO, wherein K is Y, Lu, while the value z varies within the range of 0.5-1.0 at. / form. units, and the other pair contains a magnetic layer made of BiRFeMO, wherein R is at least one rare earth element specified in a group of Tb, Dy, Sm, Eu, Tm, Yb, Lu and in a combination with Tb with Pr, Yb with Nd; M is Al, while the value x varies within the range of 0.5-2 at. / form. units; the value y varies within the range of 0.5-1.3 at. / form. units; the non-magnetic layer in each pair is made of MeO, wherein Me is Si, Al.EFFECT: invention provides manufacturing the crystal the properties of which can be additionally controlled by temperature.
Изобретение относится к отрасли оптической обработки информации и может быть использовано для управления когерентными потоками света в оптоэлектронных и магнитофонных приборах, системах отображения, хранения и передачи информации и др. Магнитофотонний кристалл, включающий 3 ≤N ≤10 пар периодически напылених друг на друга магнитных и немагнитных слоев, в котором одна из периодических пар содержит магнитный слой, выполненный из материала BiKFeO, где К - Y, Lu, значение z изменяется в пределах 0,5-1,0 ат/форм. ед., другая пара содержит магнитный слой, выполненный из материала BiRFeMO, где R - минимум один редкоземельный элемент, выбранный из группы Tb, Dy, Sm, Eu, Tm, Yb, Lu и в комбинации с Tb с Pr, Yb с Nd, M - Al, значение x изменяется в пределах 0,5-2 ат/форм. ед., значение у изменяется в пределах 0,5-1,3 ат/форм. ед., а немагнитный слой в каждой из пар выполнен из материала МеО, где Me - Si, Al. Изобретение обеспечивает получение кристалла, свойствами которого можно дополнительно управлять с помощью температуры. |
---|