METHOD OF PRECIPITATING THIN CERIUM OXIDE FILMS
FIELD: chemistry.SUBSTANCE: invention relates to technology of thin films, in particular to method of forming uniform in thickness cerium oxide (CeO) films on substrates of complex spatial configuration, and can be applied for creation of uniform in thickness cerium oxide films in solution of a numb...
Gespeichert in:
Hauptverfasser: | , , , , |
---|---|
Format: | Patent |
Sprache: | eng ; rus |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext bestellen |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Zusammenfassung: | FIELD: chemistry.SUBSTANCE: invention relates to technology of thin films, in particular to method of forming uniform in thickness cerium oxide (CeO) films on substrates of complex spatial configuration, and can be applied for creation of uniform in thickness cerium oxide films in solution of a number of problems of nanotechnology, energy-efficient technologies, in electronic, atomic and other fields of science and technology. Method includes magnetron spraying of metal target in operating chamber in atmosphere, which contains inert gas and oxygen, and precipitation of cerium oxide on substrate, with substrate being placed on anode in area of zone of active target spraying at the distance from target R exceeding depth of thermalisation zone L of sprayed atoms of target, with ratio R/L in the range 1.2÷1.5.EFFECT: formation of uniform in thickness coatings of cerium oxide on substrates of complex spatial configuration.2 dwg, 1 ex
Изобретение относится к технологии тонких пленок, в частности к способу формирования равномерных по толщине пленок оксида церия (CeO) на подложках сложной пространственной конфигурации, и может быть использовано для создания равномерных по толщине пленок оксида церия при решении ряда задач нанотехнологии, энергосберегающих технологий, в электронной, атомной и других областях науки и техники. Способ включает магнетронное распыление металлической мишени церия в рабочей камере в атмосфере, содержащей инертный газ и кислород, и осаждение на подложку слоя оксида церия, при этом подложку размещают на аноде в области зоны активного распыления мишени на расстоянии от мишени R, превышающем глубину зоны термализации L распыленных атомов мишени, при соотношении R/L в диапазоне 1,2÷1,5. Техническим результатом изобретения является формирование равномерных по толщине покрытий оксида церия на подложках сложной пространственной конфигурации. 2 ил., 1 пр. |
---|