METHOD OF GENERATING ELECTROMAGNETIC RADIATION IN TERAHERTZ RANGE AND APPARATUS FOR GENERATING ELECTROMAGNETIC RADIATION IN TERAHERTZ RANGE

FIELD: physics, optics.SUBSTANCE: invention relates to optoelectronics. The method of generating electromagnetic radiation in the terahertz range comprises interaction of directed exciting radiation with the active medium of a sample and obtaining secondary electromagnetic radiation. The active medium of the sample used is material with topological insulator properties, wherein excitation is carried out with pulsed radiation with exciting pulse duration ?=10-10s, pulse energy E=10-10J and wavelength ?=350-5000 nm, wherein the exciting radiation is directed on the plane of the sample with active medium at an angle ??90°. The active medium used can be a thin film or crystal of bismuth selenide (BiSe) or bismuth telluride (BiTe). The detecting element used can be zinc telluride (ZnTe).EFFECT: enabling monitoring and control of generation parameters when exciting materials with topological insulator properties.5 cl, 2 dwg Изобретение относится к оптоэлектронике. Способ генерации электромагнитного излучения в терагерцовом диапазоне заключается во взаимодействии направленного возбуждающего излучения с активной средой образца и получении вторичного электромагнитного излучения. В качестве активной среды образца используют материал со свойствами топологического изолятора, при этом возбуждение осуществляют импульсным излучением с длительностью возбуждающих импульсов τ=10-10с, энергией в импульсе E=10-10Дж и длиной волны λ=350-5000 нм, причем возбуждающее излучение направляют на плоскость образца с активной средой под углом α≠90°. В качестве активной среды может быть использована тонкая пленка или кристалл селенида висмута (BiSe) или теллурида висмута (BiTe). В качестве детектирующего элемента может быть использован теллурид цинка (ZnTe). Технический результат заключается в обеспечении возможности контроля и управления параметрами генерации при возбуждении материалов, обладающих свойствами топологического изолятора. 3 н. и 2 з.п. ф-лы, 2 ил.