METHOD TO MANUFACTURE NANOSTRUCTURED SENSITIVE ELEMENT OF VACUUM SENSOR AND VACUUM SENSOR

FIELD: measurement equipment.SUBSTANCE: method is proposed to manufacture a nanostructured sensitive element of a vacuum sensor consisting in formation of a heterostructure from various materials, in which a thin-film semiconductor resistor is formed, afterwards it is fixed in a sensor body, and contact sites are connected to body outputs with the help of contact conductors. A thin-film semiconductor resistor is formed in the form of a meshy nanostructure (SiO)(SnO)(InO), where 40% - mass fraction of silicon dioxide (SiO), 50% - mass fraction of Sn dioxide (SnO), 10% - mass fraction of indium oxide (InO), by application of a sol of orthosilicic acid, containing Sn hydroxide, onto a substrate from silicon with the help of a centrifuge and subsequent baking, which is prepared in two stages, at the first stage they mix tetraethoxysilane and ethyl alcohol, then at the second stage they add distilled water into the produced solution, as well as hydrochloric acid (HCl) and Sn chloride dihydrate (SnCl·2HO), and also additionally 4,5-hydrate indium nitrate (In(NO)·4,5HO). Also a vacuum sensor is proposed with a nanostructure manufactured in accordance with the proposed method.EFFECT: increased sensitivity of a sensor compared to previously available ones.3 cl, 3 dwg Изобретение относится к измерительной технике и может использоваться при изготовлении датчиков вакуума для измерения давления разреженного газа в вакуумных установках различного назначения. Предложен способ изготовления наноструктурированного чувствительного элемента датчика вакуума, заключающийся в образовании гетероструктуры из различных материалов, в которой формируют тонкопленочный полупроводниковый резистор, после чего ее закрепляют в корпусе датчика, а контактные площадки соединяют с выводами корпуса при помощи контактных проводников. Тонкопленочный полупроводниковый резистор формируют в виде сетчатой наноструктуры (SiO)(SnO)(InO), где 40% - массовая доля диоксида кремния (SiO), 50% - массовая доля диоксида олова (SnO), 10% - массовая доля оксида индия (InO), путем нанесения золя ортокремниевой кислоты, содержащего гидроксид олова, на подложку из кремния с помощью центрифуги и последующим отжигом, который приготавливают в два этапа, на первом этапе смешивают тетраэтоксисилан и этиловый спирт, затем на втором этапе в полученный раствор вводят дистиллированную воду, соляную кислоту (HCl) и двухводный хлорид олова (SnCl·2HO), а также дополнительно 4,5-водный нитрат индия (In(NO)·4,5HO). Предложен та