METHOD FOR MICROWAVE PLASMA FORMATION OF CUBIC SILICON CARBIDE FILMS ON SILICON (3C-SiC)

FIELD: chemistry.SUBSTANCE: in the method for plasma formation of cubic silicon carbide films on silicon, cleaning of the surface of a silicon wafer, formation of a layer of nanoporous silicon and deposition of a layer of 3C-SiC are carried out in a single processing procedure in multiple steps - surface cleaning and formation of the layer of nanoporous silicon are carried out using microwave plasma cleaning and etching of the surface of the silicon wafer using CFand Ogases, and deposition of the layer of 3C-SiC is carried out using microwave plasma synthesis using SiF(SiH), CFand Hgases, all processing procedures being carried out in low-pressure microwave plasma with pressure of 1·10-10 Torr, object table temperature of 600-250°C and electrical bias thereof of minus 10 V to minus 300 V.EFFECT: converting a process into a single processing procedure with variation of the process medium therefor, obtaining thick 3C-SiC layers. Изобретение относится в технологии производства пленок карбида кремния на кремнии, которые могут быть использованы в качестве подложек или функциональных слоев при изготовлении приборов полупроводниковой электроники, работающих в экстремальных условиях - повышенных уровнях радиации и температур. Техническим результатом изобретения является превращение технологического процесса в одну технологическую операцию с изменением технологической среды ее проведения, а также возможность получения толстых слоев 3C-SiC. В способе плазменного формирования пленок кубического карбида кремния на кремнии очистку поверхности кремниевой пластины, формирование слоя нанопористого кремния и осаждение слоя 3C-SiC проводят в одной технологической операции в несколько стадий - очистку поверхности и формирование слоя нанопористого кремния проводят с помощью СВЧ плазменной очистки и травления поверхности кремниевой пластины с использованием газов CFи O, а осаждение слоя 3C-SiC проводят с помощью СВЧ плазменного синтеза с использованием газов SiF(SiH), CFи Н, все технологические операции проводят в СВЧ плазме пониженного давления 1·10÷10 Торр, температуре предметного столика 600÷250°C и его электрическом смещении от минус 10 В до минус 300 В.