METHOD FOR PRE-EPITAXIAL TREATMENT OF SURFACE OF GERMANIUM SUBSTRATE

FIELD: chemistry.SUBSTANCE: in a method for pre-epitaxial treatment of the surface of a germanium substrate, the process of removing the natural germanium oxide layer from the surface of the substrate and the process of removing inorganic impurities from the surface of the substrate are carried out...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: BELOUSOV VIKTOR SERGEEVICH, SPITSYNA NADEZHDA NIKANOROVNA, ILLARIONOV VLADIMIR VIKTOROVICH, CHEBOTAREV JURIJ ALEKSEEVICH, CHEBOTAREVA ANNA ALEKSEEVNA, LAPSHINA ANASTASIJA ANATOL'EVNA
Format: Patent
Sprache:eng ; rus
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext bestellen
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Beschreibung
Zusammenfassung:FIELD: chemistry.SUBSTANCE: in a method for pre-epitaxial treatment of the surface of a germanium substrate, the process of removing the natural germanium oxide layer from the surface of the substrate and the process of removing inorganic impurities from the surface of the substrate are carried out in a single step on a hydromechanical washing apparatus using a solution of NHOH:HO:HO=1:1:40 for 2-5 minutes at 19-23°C. Passivation of the surface of the substrate is not carried out.EFFECT: invention reduces the number of steps of treating a substrate while improving the quality of the surface of the substrate at the same time. Изобретение относится к области полупроводниковой опто- и микроэлектроники и может быть использовано в электронной промышленности для создания электронных приборов и фотопреобразователей на основе полупроводниковых гетероструктур. В способе предэпитаксиальной обработки поверхности подложки из германия операцию удаления с поверхности подложки слоя естественного окисла германия и операцию очистки поверхности подложки от неорганических загрязнений осуществляют в одну стадию на установке гидромеханической отмывки с использованием раствора NHOH:HO:HO=1:1:40 в течение 2÷5 минут при температуре 19-23С. Операцию пассивации поверхности подложки не проводят. Изобретение позволяет сократить число стадий обработки подложки при одновременном улучшении качества ее поверхности.