PRECISION LASER-PLASMA CHEMICAL CUTTING OF PLATES

FIELD: process engineering.SUBSTANCE: invention relates to laser cutting of plates and can be used in microelectronics for cutting of diamond, carbide-silicon, silicon and other substrates wit device built there in. Proposed method involves the focusing of laser radiation on processed surface in atm...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: PAVLOV VLADIMIR JUR'EVICH, SKRIPNICHENKO ALEKSANDR STEPANOVICH, MAL'TSEV PETR PAVLOVICH, RED'KIN SERGEJ VIKTOROVICH, ARISTOV VITALIJ VASIL'EVICH
Format: Patent
Sprache:eng ; rus
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext bestellen
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
container_end_page
container_issue
container_start_page
container_title
container_volume
creator PAVLOV VLADIMIR JUR'EVICH
SKRIPNICHENKO ALEKSANDR STEPANOVICH
MAL'TSEV PETR PAVLOVICH
RED'KIN SERGEJ VIKTOROVICH
ARISTOV VITALIJ VASIL'EVICH
description FIELD: process engineering.SUBSTANCE: invention relates to laser cutting of plates and can be used in microelectronics for cutting of diamond, carbide-silicon, silicon and other substrates wit device built there in. Proposed method involves the focusing of laser radiation on processed surface in atmosphere of gas mix containing fluorine compounds. Note here chemical reactions are initiated by both thermal processes of gas component dissociation and plasma formation in atmosphere of pure fluorine or pure anhydrous hydrogen fluoride at pressure of barometric to 1·? 10Torr.EFFECT: high-quality laser cutting.1 dwg Изобретение относится к лазерным методам резки пластин и может быть использовано в микроэлектронной промышленности для резки алмазных, карбидкремниевых, кремниевых и других подложек с изготовленными на них приборами. Технический результат - прецизионная лазерная резка без «выброса» и переосаждения материала подложек на сформированные приборы, стенки и окна технологической камеры. Способ лазерной резки алмазных подложек предусматривает фокусировку лазерного излучения на обрабатываемой поверхности в атмосфере в газовой смеси, содержащей соединения фтора, при этом химические реакции инициируются как за счет термических процессов диссоциации газовых компонент, так и за счет образования плазмы в атмосфере чистого фтора или чистого фтористого водорода при давлении от атмосферного до 1·*10Торр. 1 ил.
format Patent
fullrecord <record><control><sourceid>epo_EVB</sourceid><recordid>TN_cdi_epo_espacenet_RU2537101C1</recordid><sourceformat>XML</sourceformat><sourcesystem>PC</sourcesystem><sourcerecordid>RU2537101C1</sourcerecordid><originalsourceid>FETCH-epo_espacenet_RU2537101C13</originalsourceid><addsrcrecordid>eNrjZDAMCHJ19gz29PdT8HEMdg3SDQBSvo4Kzh6uvp7Ojj4KzqEhIZ5-7gr-bgpAqRDXYB4G1rTEnOJUXijNzaDg5hri7KGbWpAfn1pckJicmpdaEh8UamRqbG5oYOhsaEyEEgAHaiYu</addsrcrecordid><sourcetype>Open Access Repository</sourcetype><iscdi>true</iscdi><recordtype>patent</recordtype></control><display><type>patent</type><title>PRECISION LASER-PLASMA CHEMICAL CUTTING OF PLATES</title><source>esp@cenet</source><creator>PAVLOV VLADIMIR JUR'EVICH ; SKRIPNICHENKO ALEKSANDR STEPANOVICH ; MAL'TSEV PETR PAVLOVICH ; RED'KIN SERGEJ VIKTOROVICH ; ARISTOV VITALIJ VASIL'EVICH</creator><creatorcontrib>PAVLOV VLADIMIR JUR'EVICH ; SKRIPNICHENKO ALEKSANDR STEPANOVICH ; MAL'TSEV PETR PAVLOVICH ; RED'KIN SERGEJ VIKTOROVICH ; ARISTOV VITALIJ VASIL'EVICH</creatorcontrib><description>FIELD: process engineering.SUBSTANCE: invention relates to laser cutting of plates and can be used in microelectronics for cutting of diamond, carbide-silicon, silicon and other substrates wit device built there in. Proposed method involves the focusing of laser radiation on processed surface in atmosphere of gas mix containing fluorine compounds. Note here chemical reactions are initiated by both thermal processes of gas component dissociation and plasma formation in atmosphere of pure fluorine or pure anhydrous hydrogen fluoride at pressure of barometric to 1·? 10Torr.EFFECT: high-quality laser cutting.1 dwg Изобретение относится к лазерным методам резки пластин и может быть использовано в микроэлектронной промышленности для резки алмазных, карбидкремниевых, кремниевых и других подложек с изготовленными на них приборами. Технический результат - прецизионная лазерная резка без «выброса» и переосаждения материала подложек на сформированные приборы, стенки и окна технологической камеры. Способ лазерной резки алмазных подложек предусматривает фокусировку лазерного излучения на обрабатываемой поверхности в атмосфере в газовой смеси, содержащей соединения фтора, при этом химические реакции инициируются как за счет термических процессов диссоциации газовых компонент, так и за счет образования плазмы в атмосфере чистого фтора или чистого фтористого водорода при давлении от атмосферного до 1·*10Торр. 1 ил.</description><language>eng ; rus</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><creationdate>2014</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=20141227&amp;DB=EPODOC&amp;CC=RU&amp;NR=2537101C1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,776,881,25544,76293</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=20141227&amp;DB=EPODOC&amp;CC=RU&amp;NR=2537101C1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>PAVLOV VLADIMIR JUR'EVICH</creatorcontrib><creatorcontrib>SKRIPNICHENKO ALEKSANDR STEPANOVICH</creatorcontrib><creatorcontrib>MAL'TSEV PETR PAVLOVICH</creatorcontrib><creatorcontrib>RED'KIN SERGEJ VIKTOROVICH</creatorcontrib><creatorcontrib>ARISTOV VITALIJ VASIL'EVICH</creatorcontrib><title>PRECISION LASER-PLASMA CHEMICAL CUTTING OF PLATES</title><description>FIELD: process engineering.SUBSTANCE: invention relates to laser cutting of plates and can be used in microelectronics for cutting of diamond, carbide-silicon, silicon and other substrates wit device built there in. Proposed method involves the focusing of laser radiation on processed surface in atmosphere of gas mix containing fluorine compounds. Note here chemical reactions are initiated by both thermal processes of gas component dissociation and plasma formation in atmosphere of pure fluorine or pure anhydrous hydrogen fluoride at pressure of barometric to 1·? 10Torr.EFFECT: high-quality laser cutting.1 dwg Изобретение относится к лазерным методам резки пластин и может быть использовано в микроэлектронной промышленности для резки алмазных, карбидкремниевых, кремниевых и других подложек с изготовленными на них приборами. Технический результат - прецизионная лазерная резка без «выброса» и переосаждения материала подложек на сформированные приборы, стенки и окна технологической камеры. Способ лазерной резки алмазных подложек предусматривает фокусировку лазерного излучения на обрабатываемой поверхности в атмосфере в газовой смеси, содержащей соединения фтора, при этом химические реакции инициируются как за счет термических процессов диссоциации газовых компонент, так и за счет образования плазмы в атмосфере чистого фтора или чистого фтористого водорода при давлении от атмосферного до 1·*10Торр. 1 ил.</description><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2014</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZDAMCHJ19gz29PdT8HEMdg3SDQBSvo4Kzh6uvp7Ojj4KzqEhIZ5-7gr-bgpAqRDXYB4G1rTEnOJUXijNzaDg5hri7KGbWpAfn1pckJicmpdaEh8UamRqbG5oYOhsaEyEEgAHaiYu</recordid><startdate>20141227</startdate><enddate>20141227</enddate><creator>PAVLOV VLADIMIR JUR'EVICH</creator><creator>SKRIPNICHENKO ALEKSANDR STEPANOVICH</creator><creator>MAL'TSEV PETR PAVLOVICH</creator><creator>RED'KIN SERGEJ VIKTOROVICH</creator><creator>ARISTOV VITALIJ VASIL'EVICH</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20141227</creationdate><title>PRECISION LASER-PLASMA CHEMICAL CUTTING OF PLATES</title><author>PAVLOV VLADIMIR JUR'EVICH ; SKRIPNICHENKO ALEKSANDR STEPANOVICH ; MAL'TSEV PETR PAVLOVICH ; RED'KIN SERGEJ VIKTOROVICH ; ARISTOV VITALIJ VASIL'EVICH</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_RU2537101C13</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; rus</language><creationdate>2014</creationdate><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>SEMICONDUCTOR DEVICES</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>PAVLOV VLADIMIR JUR'EVICH</creatorcontrib><creatorcontrib>SKRIPNICHENKO ALEKSANDR STEPANOVICH</creatorcontrib><creatorcontrib>MAL'TSEV PETR PAVLOVICH</creatorcontrib><creatorcontrib>RED'KIN SERGEJ VIKTOROVICH</creatorcontrib><creatorcontrib>ARISTOV VITALIJ VASIL'EVICH</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>PAVLOV VLADIMIR JUR'EVICH</au><au>SKRIPNICHENKO ALEKSANDR STEPANOVICH</au><au>MAL'TSEV PETR PAVLOVICH</au><au>RED'KIN SERGEJ VIKTOROVICH</au><au>ARISTOV VITALIJ VASIL'EVICH</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>PRECISION LASER-PLASMA CHEMICAL CUTTING OF PLATES</title><date>2014-12-27</date><risdate>2014</risdate><abstract>FIELD: process engineering.SUBSTANCE: invention relates to laser cutting of plates and can be used in microelectronics for cutting of diamond, carbide-silicon, silicon and other substrates wit device built there in. Proposed method involves the focusing of laser radiation on processed surface in atmosphere of gas mix containing fluorine compounds. Note here chemical reactions are initiated by both thermal processes of gas component dissociation and plasma formation in atmosphere of pure fluorine or pure anhydrous hydrogen fluoride at pressure of barometric to 1·? 10Torr.EFFECT: high-quality laser cutting.1 dwg Изобретение относится к лазерным методам резки пластин и может быть использовано в микроэлектронной промышленности для резки алмазных, карбидкремниевых, кремниевых и других подложек с изготовленными на них приборами. Технический результат - прецизионная лазерная резка без «выброса» и переосаждения материала подложек на сформированные приборы, стенки и окна технологической камеры. Способ лазерной резки алмазных подложек предусматривает фокусировку лазерного излучения на обрабатываемой поверхности в атмосфере в газовой смеси, содержащей соединения фтора, при этом химические реакции инициируются как за счет термических процессов диссоциации газовых компонент, так и за счет образования плазмы в атмосфере чистого фтора или чистого фтористого водорода при давлении от атмосферного до 1·*10Торр. 1 ил.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record>
fulltext fulltext_linktorsrc
identifier
ispartof
issn
language eng ; rus
recordid cdi_epo_espacenet_RU2537101C1
source esp@cenet
subjects BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
title PRECISION LASER-PLASMA CHEMICAL CUTTING OF PLATES
url https://sfx.bib-bvb.de/sfx_tum?ctx_ver=Z39.88-2004&ctx_enc=info:ofi/enc:UTF-8&ctx_tim=2025-01-27T17%3A43%3A12IST&url_ver=Z39.88-2004&url_ctx_fmt=infofi/fmt:kev:mtx:ctx&rfr_id=info:sid/primo.exlibrisgroup.com:primo3-Article-epo_EVB&rft_val_fmt=info:ofi/fmt:kev:mtx:patent&rft.genre=patent&rft.au=PAVLOV%20VLADIMIR%20JUR'EVICH&rft.date=2014-12-27&rft_id=info:doi/&rft_dat=%3Cepo_EVB%3ERU2537101C1%3C/epo_EVB%3E%3Curl%3E%3C/url%3E&disable_directlink=true&sfx.directlink=off&sfx.report_link=0&rft_id=info:oai/&rft_id=info:pmid/&rfr_iscdi=true