PRECISION LASER-PLASMA CHEMICAL CUTTING OF PLATES
FIELD: process engineering.SUBSTANCE: invention relates to laser cutting of plates and can be used in microelectronics for cutting of diamond, carbide-silicon, silicon and other substrates wit device built there in. Proposed method involves the focusing of laser radiation on processed surface in atm...
Gespeichert in:
Hauptverfasser: | , , , , |
---|---|
Format: | Patent |
Sprache: | eng ; rus |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext bestellen |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Zusammenfassung: | FIELD: process engineering.SUBSTANCE: invention relates to laser cutting of plates and can be used in microelectronics for cutting of diamond, carbide-silicon, silicon and other substrates wit device built there in. Proposed method involves the focusing of laser radiation on processed surface in atmosphere of gas mix containing fluorine compounds. Note here chemical reactions are initiated by both thermal processes of gas component dissociation and plasma formation in atmosphere of pure fluorine or pure anhydrous hydrogen fluoride at pressure of barometric to 1·? 10Torr.EFFECT: high-quality laser cutting.1 dwg
Изобретение относится к лазерным методам резки пластин и может быть использовано в микроэлектронной промышленности для резки алмазных, карбидкремниевых, кремниевых и других подложек с изготовленными на них приборами. Технический результат - прецизионная лазерная резка без «выброса» и переосаждения материала подложек на сформированные приборы, стенки и окна технологической камеры. Способ лазерной резки алмазных подложек предусматривает фокусировку лазерного излучения на обрабатываемой поверхности в атмосфере в газовой смеси, содержащей соединения фтора, при этом химические реакции инициируются как за счет термических процессов диссоциации газовых компонент, так и за счет образования плазмы в атмосфере чистого фтора или чистого фтористого водорода при давлении от атмосферного до 1·*10Торр. 1 ил. |
---|