METHOD OF LOWERING OF OHMIC RESISTANCE OF INDIUM MICROCONTACTS USING THERMAL ANNEALING

FIELD: physics, photography.SUBSTANCE: invention relates to technology of manufacture of indium microcontacts in IR array photodetectors with photoelectric signal reading LSI circuits. A method of lowering of ohmic resistance of indium microcontacts using thermal annealing with semiconductor wafers with arrayes the LSI circuit of reading or photodiode arrays includes the forming of metal underlayer under indium, forming of protective photoconductivity mask with windows in places of microcontacts, deposition of indium layer, manufacture of indium contacts and annealing of structures in recovery atmosphere or vacuum at the temperature minimum 240°C within 30 minutes.EFFECT: invention provides manufacture of indium microcontacts with low resistance and high homogeneity of their values within large arrays.5 dwg Изобретение относится к технологии изготовления индиевых микроконтактов в матричных фотоприемниках ИК-излучения и БИС считывания фотосигнала. Изобретение обеспечивает изготовление индиевых микроконтактов с низким сопротивлением и высокой однородностью их значений в пределах больших массивов. Способ снижения омического сопротивления индиевых микроконтактов с помощью термического отжига на полупроводниковых пластинах с матрицами БИС считывания или фотодиодными матрицами включает формирование металлического подслоя под индий, формирование защитной фоторезистивной маски с окнами в местах микроконтактов, напыление слоя индия, изготовление индиевых контактов и отжиг структур в восстановительной атмосфере или вакууме при температуре не менее 240°C в течение 30 минут. 5 ил.