METHOD OF PRODUCING PHOTODETECTORS BASED ON EPITAXIAL GaN/AlGaN p-i-n STRUCTURES

FIELD: physics.SUBSTANCE: invention relates to photodiode technologies based on epitaxial GaN/AlGaN p-i-n structures which convert ultraviolet radiation. The invention discloses a method of producing a multi-element photodetector based on epitaxial GaN/AlGaN p-i-n structures. Production is carried out using a mesa technique of ion etching to a n+-AlGaN layer, heat-treating the surface of the mesa p-i-n diodes at 450-550°C for 90-200 s to heal radiation and stoichiometric defects formed on the perimeter the p-i-n diodes under the action of an ion beam or other surface damages arising on technological operations of producing a mesa structure.EFFECT: reducing dark current of a multi-element photodetector.2 dwg Изобретение относится к технологии фотодиодов на основе эпитаксиальных p-i-n структур GaN/AlGaN, преобразующих излучение ультрафиолетовой области спектра. Согласно изобретению предложен способ изготовления многоэлементного фотоприемника на основе эпитаксиальных p-i-n структур GaN/AlGaN. Изготовление осуществляют по меза-технологии ионным травлением до слоя n+ -AlGaN, затем поверхность меза p-i-n диодов подвергается тепловой обработке при температуре 450-550°C продолжительностью 90-200 сек для «залечивания» радиационных и стехиометрических дефектов, образовавшихся на периметре p-i-n диодов под действием ионного пучка или иных нарушений поверхности, возникших на технологических операциях изготовления меза-структуры. Изобретение обеспечивает уменьшение темновых токов многоэлементного фотоприемника. 2 ил.