DEVICE FOR SHAPING VOLUMETRIC SELF-SUSTAINED DISCHARGE

FIELD: electricity.SUBSTANCE: device for shaping a volumetric self-sustained discharge includes a tight housing, in which two extended shaped electrodes galvanically connected to a pulse power source are installed along the axis. One of the electrodes is fixed on a dielectric base with a developed surface, and the other one is fixed on reverse current leads so that a discharge gap is formed between the electrodes. Both electrodes are of a replaceable type and have a shaped surface along the perimeter, which is made on the basis of a Stepperch profile; with that, the electrode fixed on the reverse current leads has a possibility of being moved relative to the other electrode to adjust the discharge gap. The reverse current leads are made in the form of bent rods and located so that distance from the electrode fixed on the dielectric base to the reverse current leads along the surface of the dielectric base meets the ratio of L?2.5D, where D - height of the discharge gap.EFFECT: providing a possibility of shaping a homogeneous and stable volumetric self-sustained discharge during a pump pulse period.6 cl, 2 dwg Изобретение относится к лазерной технике. Устройство для формирования объемного самостоятельного разряда содержит герметичный корпус, в котором вдоль оси установлены два протяженных профилированных электрода, гальванически связанных с импульсным источником питания. Один из электродов закреплен на диэлектрическом основании с развитой поверхностью, а второй - на обратных токопроводах так, что между электродами образован разрядный промежуток. Оба электрода являются сменными и имеют по периметру профильную поверхность, выполненную на основе профиля Степперча, при этом электрод, закрепленный на обратных токопроводах, имеет возможность перемещения относительно другого электрода для регулировки разрядного промежутка. Обратные токопроводы выполнены в виде изогнутых стержней и расположены таким образом, что расстояние от электрода, закрепленного на диэлектрическом основании, до обратных токопроводов по поверхности диэлектрического основания удовлетворяет соотношению L≥2,5D, где D - высота разрядного промежутка. Технический результат заключается в обеспечении возможности формирования однородного и устойчивого объемного самостоятельного разряда за время длительности импульса накачки (~350 нс). 5 з.п. ф-лы, 2 ил.