FAST NEUTRON DETECTOR

FIELD: physics.SUBSTANCE: invention relates to semiconductor radiation detectors. The fast neutron detector comprises a fast neutron converter and a surface-barrier GaAs sensor which detects recoil protons, wherein the sensor is made on an n-type gallium arsenide substrate, on the working surface of which an epitaxial high-purity layer of GaAs with thickness of 10-80 mcm is grown, whereinandwhere d is the thickness of the epitaxial high-purity GaAs layer, ?is the relative permittivity of the semiconductor, ?is the electrical constant, ?is the contact potential difference, q is electron charge, Nis the semiconductor doping level, µis electron mobility, ?is the electron lifetime, with a platinum Schottky barrier of thickness 500 E formed thereon, and an ohmic contact is formed on the reverse side of the substrate.EFFECT: high charge collection efficiency of the detector and low sensitivity to gamma-radiation.1 dwg Изобретение относится к полупроводниковым детекторам излучений. Детектор быстрых нейтронов содержит конвертор быстрых нейтронов и поверхностно-барьерный GaAs сенсор, регистрирующий протоны отдачи, при этом сенсор выполнен на подложке арсенида галлия n-типа проводимости, на рабочей поверхности которого выращен эпитаксиальный слой GaAs высокой чистоты толщиной от 10 до 80 мкм, причемигде d - толщина эпитаксиального слоя GaAs высокой чистоты, ε- относительная диэлектрическая проницаемость полупроводника, ε- электрическая постоянная, φ- контактная разность потенциалов, q - заряд электрона, N- уровень легирования полупроводника, µ- подвижность электронов, τ- время жизни электронов, со сформированным на нем платиновым барьером Шоттки толщиной 500 Å, на обратной стороне подложки сформирован омический контакт. Технический результат - повышение эффективности сбора заряда детектора, снижение чувствительности к гамма-фону. 1 ил.