SOLAR CELL, SOLAR CELL FABRICATION METHOD AND SOLAR CELL MODULE
FIELD: physics.SUBSTANCE: method of solar cell fabrication includes the phases of creation of pn-transition in a semiconductor substrate, creation of passivating layer on the light receiving surface and/or on the light non-receiving surface of semiconductor substrate and creation of the power take-o...
Gespeichert in:
Hauptverfasser: | , , |
---|---|
Format: | Patent |
Sprache: | eng ; rus |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext bestellen |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Zusammenfassung: | FIELD: physics.SUBSTANCE: method of solar cell fabrication includes the phases of creation of pn-transition in a semiconductor substrate, creation of passivating layer on the light receiving surface and/or on the light non-receiving surface of semiconductor substrate and creation of the power take-off electrodes on the light receiving surface and on the light non-receiving surface. The passivating layer is formed by the aluminium oxide film with the width up to 40 nm, and the electrode is formed by burning of conducting paste at 500-900°C within the time from 1 second up to 30 minutes with formation of the baked product, which will penetrate through a passivating layer, forming an electrical contact between the electrode and substrate. As a result of creation of aluminium oxide film with the specified width on the substrate surface it is possible to achieve the excellent characteristics of passivation and excellent electrical contact between silicon and electrode only by burning of the conductor paste, that is a standard technology. Besides the phase of burning, which was necessary to achieve the effects of passivation of aluminium oxide film in the past, can be avoided.EFFECT: cost minimising.6 cl, 7 dwg
Способ изготовления солнечного элемента содержит этапы формирования pn-перехода в полупроводниковой подложке, формирования пассивирующего слоя на светопринимающей поверхности и/или не принимающей свет поверхности полупроводниковой подложки и формирования электродов отбора мощности на светопринимающей поверхности и не принимающей свет поверхности. В качестве пассивирующего слоя формируют пленку оксида алюминия, имеющую толщину до 40 нм, при этом электрод формируют обжигом проводящей пасты при 500-900°C в течение от 1 секунды до 30 минут с образованием спеченного продукта, который проникает через пассивирующий слой, устанавливая электрический контакт между электродом и подложкой. В результате формирования пленки оксида алюминия с заданной толщиной на поверхности подложки можно добиться превосходных характеристик пассивации и превосходного электрического контакта между кремнием и электродом лишь путем обжига проводящей пасты, что является обычной технологией. Кроме того, этап отжига, который был необходим для достижения эффектов пассивации пленки оксида алюминия в прошлом, может быть устранен, резко снижая расходы. 5 з.п. ф-лы, 7 ил. |
---|