INFRARED PHOTOSENSITIVE STRUCTURE AND METHOD OF MAKING SAME
FIELD: physics.SUBSTANCE: in an infrared photosensitive structure, having series-connected substrate, the top layer of which is made of CdTe, a lower variable-gap layer made of HgCdTe, wherein the value of x gradually decreases from a value in the range of (x+0.1)-1, to a value x, a detector layer m...
Gespeichert in:
| Hauptverfasser: | , , , , , , , , |
|---|---|
| Format: | Patent |
| Sprache: | eng ; rus |
| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | Volltext bestellen |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| container_end_page | |
|---|---|
| container_issue | |
| container_start_page | |
| container_title | |
| container_volume | |
| creator | DZJADUKH STANISLAV MIKHAJLOVICH SIDOROV JURIJ GEORGIEVICH NESMELOV SERGEJ NIKOLAEVICH VASIL'EV VLADIMIR VASIL'EVICH VOJTSEKHOVSKIJ ALEKSANDR VASIL'EVICH DVORETSKIJ SERGEJ ALEKSEEVICH VARAVIN VASILIJ SEMENOVICH JAKUSHEV MAKSIM VITAL'EVICH MIKHAJLOV NIKOLAJ NIKOLAEVICH |
| description | FIELD: physics.SUBSTANCE: in an infrared photosensitive structure, having series-connected substrate, the top layer of which is made of CdTe, a lower variable-gap layer made of HgCdTe, wherein the value of x gradually decreases from a value in the range of (x+0.1)-1, to a value x, a detector layer made of HgCdTe, where x=x=0.2-0.3, as well as series-connected top variable-gap layer made of HgCdTe, wherein the value of x gradually increases from a value xto a value in the range of (x+0.1)-1, an insulating layer made of CdTe, a dielectric layer made of SiO, a dielectric layer made of SiN, and a top conducting layer which is transparent for infrared radiation; the detector layer further includes alternating barrier layers and quantum well layers made of HgCdTe, the minimum number of which is equal to three, with optional addition of a number of pairs of alternating layers from 1 to 100, wherein at the boundary between the quantum well layer and the barrier layer, the values of x change abruptly in the range of x=0.5-1.0 and x=0-0.15 for thickness of each of the barrier layers of 20-100 nm and thickness of each of the quantum well layers of 5-20 nm.EFFECT: wider operating frequency range of a photosensitive structure and wider field of use of said structure.13 cl, 1 dwg
Изобретение относится к инфракрасной технике и технологии изготовления устройств инфракрасной техники, конкретно к фотоприемным устройствам ИК-диапазона длин волн и к технологии их изготовления. Сущность изобретения состоит в том, что в фоточувствительной к инфракрасному излучению структуре, содержащей последовательно соединенные подложку, верхний слой которой выполнен из CdTe, нижний варизонный слой, изготовленный из HgCdTe, в котором значение x плавно уменьшается от значения, находящегося в пределах (х+0,1)÷1, до значения x, детекторный слой, изготовленный из HgCdTe, где x=x=0,2-0,3, а также последовательно соединенные верхний варизонный слой, изготовленный из HgCdTe, в котором значение x плавно увеличивается от значения xдо значения, находящегося в пределах (x+0,1)÷1, изолирующий слой, изготовленный из CdTe, диэлектрический слой, изготовленный из SiO, диэлектрический слой, изготовленный из SiN, и верхний, прозрачный для инфракрасного излучения проводящий слой, в детекторный слой дополнительно введены чередующиеся барьерные слои и слои квантовых ям, изготовленные из HgCdTe, минимальное количество которых равно трем, с возможным добавлением числа пар чередующихся слоев от 1 до 100, при этом на |
| format | Patent |
| fullrecord | <record><control><sourceid>epo_EVB</sourceid><recordid>TN_cdi_epo_espacenet_RU2529457C1</recordid><sourceformat>XML</sourceformat><sourcesystem>PC</sourcesystem><sourcerecordid>RU2529457C1</sourcerecordid><originalsourceid>FETCH-epo_espacenet_RU2529457C13</originalsourceid><addsrcrecordid>eNrjZLD29HMLcgxydVEI8PAP8Q929Qv2DPEMc1UIDgkKdQ4JDXJVcPRzUfB1DfHwd1Hwd1PwdfT29HNXCHb0deVhYE1LzClO5YXS3AwKbq4hzh66qQX58anFBYnJqXmpJfFBoUamRpYmpubOhsZEKAEArZEpPA</addsrcrecordid><sourcetype>Open Access Repository</sourcetype><iscdi>true</iscdi><recordtype>patent</recordtype></control><display><type>patent</type><title>INFRARED PHOTOSENSITIVE STRUCTURE AND METHOD OF MAKING SAME</title><source>esp@cenet</source><creator>DZJADUKH STANISLAV MIKHAJLOVICH ; SIDOROV JURIJ GEORGIEVICH ; NESMELOV SERGEJ NIKOLAEVICH ; VASIL'EV VLADIMIR VASIL'EVICH ; VOJTSEKHOVSKIJ ALEKSANDR VASIL'EVICH ; DVORETSKIJ SERGEJ ALEKSEEVICH ; VARAVIN VASILIJ SEMENOVICH ; JAKUSHEV MAKSIM VITAL'EVICH ; MIKHAJLOV NIKOLAJ NIKOLAEVICH</creator><creatorcontrib>DZJADUKH STANISLAV MIKHAJLOVICH ; SIDOROV JURIJ GEORGIEVICH ; NESMELOV SERGEJ NIKOLAEVICH ; VASIL'EV VLADIMIR VASIL'EVICH ; VOJTSEKHOVSKIJ ALEKSANDR VASIL'EVICH ; DVORETSKIJ SERGEJ ALEKSEEVICH ; VARAVIN VASILIJ SEMENOVICH ; JAKUSHEV MAKSIM VITAL'EVICH ; MIKHAJLOV NIKOLAJ NIKOLAEVICH</creatorcontrib><description>FIELD: physics.SUBSTANCE: in an infrared photosensitive structure, having series-connected substrate, the top layer of which is made of CdTe, a lower variable-gap layer made of HgCdTe, wherein the value of x gradually decreases from a value in the range of (x+0.1)-1, to a value x, a detector layer made of HgCdTe, where x=x=0.2-0.3, as well as series-connected top variable-gap layer made of HgCdTe, wherein the value of x gradually increases from a value xto a value in the range of (x+0.1)-1, an insulating layer made of CdTe, a dielectric layer made of SiO, a dielectric layer made of SiN, and a top conducting layer which is transparent for infrared radiation; the detector layer further includes alternating barrier layers and quantum well layers made of HgCdTe, the minimum number of which is equal to three, with optional addition of a number of pairs of alternating layers from 1 to 100, wherein at the boundary between the quantum well layer and the barrier layer, the values of x change abruptly in the range of x=0.5-1.0 and x=0-0.15 for thickness of each of the barrier layers of 20-100 nm and thickness of each of the quantum well layers of 5-20 nm.EFFECT: wider operating frequency range of a photosensitive structure and wider field of use of said structure.13 cl, 1 dwg
Изобретение относится к инфракрасной технике и технологии изготовления устройств инфракрасной техники, конкретно к фотоприемным устройствам ИК-диапазона длин волн и к технологии их изготовления. Сущность изобретения состоит в том, что в фоточувствительной к инфракрасному излучению структуре, содержащей последовательно соединенные подложку, верхний слой которой выполнен из CdTe, нижний варизонный слой, изготовленный из HgCdTe, в котором значение x плавно уменьшается от значения, находящегося в пределах (х+0,1)÷1, до значения x, детекторный слой, изготовленный из HgCdTe, где x=x=0,2-0,3, а также последовательно соединенные верхний варизонный слой, изготовленный из HgCdTe, в котором значение x плавно увеличивается от значения xдо значения, находящегося в пределах (x+0,1)÷1, изолирующий слой, изготовленный из CdTe, диэлектрический слой, изготовленный из SiO, диэлектрический слой, изготовленный из SiN, и верхний, прозрачный для инфракрасного излучения проводящий слой, в детекторный слой дополнительно введены чередующиеся барьерные слои и слои квантовых ям, изготовленные из HgCdTe, минимальное количество которых равно трем, с возможным добавлением числа пар чередующихся слоев от 1 до 100, при этом на границах между слоем квантовых ям и барьерным слоем значения x ступенчато изменяются в пределах x=0,5-1,0 и x=0-0,15 при толщине каждого из барьерных слоев 20-100 нм и толщине каждого из слоев квантовых ям 5-20 нм. Такжепредложен способе изготовления предлагаемой структуры. Изобретение обеспечивает возможность расширения диапазона рабочих частот фоточувствительной структуры и расширения области ее применения. 2 н. и 11 з.п. ф-лы, 1 ил.</description><language>eng ; rus</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION ORPROCESSING OF GOODS ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC ; GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS ; SEMICONDUCTOR DEVICES ; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS ; TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINSTCLIMATE CHANGE</subject><creationdate>2014</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20140927&DB=EPODOC&CC=RU&NR=2529457C1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,776,881,25542,76289</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20140927&DB=EPODOC&CC=RU&NR=2529457C1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>DZJADUKH STANISLAV MIKHAJLOVICH</creatorcontrib><creatorcontrib>SIDOROV JURIJ GEORGIEVICH</creatorcontrib><creatorcontrib>NESMELOV SERGEJ NIKOLAEVICH</creatorcontrib><creatorcontrib>VASIL'EV VLADIMIR VASIL'EVICH</creatorcontrib><creatorcontrib>VOJTSEKHOVSKIJ ALEKSANDR VASIL'EVICH</creatorcontrib><creatorcontrib>DVORETSKIJ SERGEJ ALEKSEEVICH</creatorcontrib><creatorcontrib>VARAVIN VASILIJ SEMENOVICH</creatorcontrib><creatorcontrib>JAKUSHEV MAKSIM VITAL'EVICH</creatorcontrib><creatorcontrib>MIKHAJLOV NIKOLAJ NIKOLAEVICH</creatorcontrib><title>INFRARED PHOTOSENSITIVE STRUCTURE AND METHOD OF MAKING SAME</title><description>FIELD: physics.SUBSTANCE: in an infrared photosensitive structure, having series-connected substrate, the top layer of which is made of CdTe, a lower variable-gap layer made of HgCdTe, wherein the value of x gradually decreases from a value in the range of (x+0.1)-1, to a value x, a detector layer made of HgCdTe, where x=x=0.2-0.3, as well as series-connected top variable-gap layer made of HgCdTe, wherein the value of x gradually increases from a value xto a value in the range of (x+0.1)-1, an insulating layer made of CdTe, a dielectric layer made of SiO, a dielectric layer made of SiN, and a top conducting layer which is transparent for infrared radiation; the detector layer further includes alternating barrier layers and quantum well layers made of HgCdTe, the minimum number of which is equal to three, with optional addition of a number of pairs of alternating layers from 1 to 100, wherein at the boundary between the quantum well layer and the barrier layer, the values of x change abruptly in the range of x=0.5-1.0 and x=0-0.15 for thickness of each of the barrier layers of 20-100 nm and thickness of each of the quantum well layers of 5-20 nm.EFFECT: wider operating frequency range of a photosensitive structure and wider field of use of said structure.13 cl, 1 dwg
Изобретение относится к инфракрасной технике и технологии изготовления устройств инфракрасной техники, конкретно к фотоприемным устройствам ИК-диапазона длин волн и к технологии их изготовления. Сущность изобретения состоит в том, что в фоточувствительной к инфракрасному излучению структуре, содержащей последовательно соединенные подложку, верхний слой которой выполнен из CdTe, нижний варизонный слой, изготовленный из HgCdTe, в котором значение x плавно уменьшается от значения, находящегося в пределах (х+0,1)÷1, до значения x, детекторный слой, изготовленный из HgCdTe, где x=x=0,2-0,3, а также последовательно соединенные верхний варизонный слой, изготовленный из HgCdTe, в котором значение x плавно увеличивается от значения xдо значения, находящегося в пределах (x+0,1)÷1, изолирующий слой, изготовленный из CdTe, диэлектрический слой, изготовленный из SiO, диэлектрический слой, изготовленный из SiN, и верхний, прозрачный для инфракрасного излучения проводящий слой, в детекторный слой дополнительно введены чередующиеся барьерные слои и слои квантовых ям, изготовленные из HgCdTe, минимальное количество которых равно трем, с возможным добавлением числа пар чередующихся слоев от 1 до 100, при этом на границах между слоем квантовых ям и барьерным слоем значения x ступенчато изменяются в пределах x=0,5-1,0 и x=0-0,15 при толщине каждого из барьерных слоев 20-100 нм и толщине каждого из слоев квантовых ям 5-20 нм. Такжепредложен способе изготовления предлагаемой структуры. Изобретение обеспечивает возможность расширения диапазона рабочих частот фоточувствительной структуры и расширения области ее применения. 2 н. и 11 з.п. ф-лы, 1 ил.</description><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION ORPROCESSING OF GOODS</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC</subject><subject>GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><subject>TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS</subject><subject>TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINSTCLIMATE CHANGE</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2014</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZLD29HMLcgxydVEI8PAP8Q929Qv2DPEMc1UIDgkKdQ4JDXJVcPRzUfB1DfHwd1Hwd1PwdfT29HNXCHb0deVhYE1LzClO5YXS3AwKbq4hzh66qQX58anFBYnJqXmpJfFBoUamRpYmpubOhsZEKAEArZEpPA</recordid><startdate>20140927</startdate><enddate>20140927</enddate><creator>DZJADUKH STANISLAV MIKHAJLOVICH</creator><creator>SIDOROV JURIJ GEORGIEVICH</creator><creator>NESMELOV SERGEJ NIKOLAEVICH</creator><creator>VASIL'EV VLADIMIR VASIL'EVICH</creator><creator>VOJTSEKHOVSKIJ ALEKSANDR VASIL'EVICH</creator><creator>DVORETSKIJ SERGEJ ALEKSEEVICH</creator><creator>VARAVIN VASILIJ SEMENOVICH</creator><creator>JAKUSHEV MAKSIM VITAL'EVICH</creator><creator>MIKHAJLOV NIKOLAJ NIKOLAEVICH</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20140927</creationdate><title>INFRARED PHOTOSENSITIVE STRUCTURE AND METHOD OF MAKING SAME</title><author>DZJADUKH STANISLAV MIKHAJLOVICH ; SIDOROV JURIJ GEORGIEVICH ; NESMELOV SERGEJ NIKOLAEVICH ; VASIL'EV VLADIMIR VASIL'EVICH ; VOJTSEKHOVSKIJ ALEKSANDR VASIL'EVICH ; DVORETSKIJ SERGEJ ALEKSEEVICH ; VARAVIN VASILIJ SEMENOVICH ; JAKUSHEV MAKSIM VITAL'EVICH ; MIKHAJLOV NIKOLAJ NIKOLAEVICH</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_RU2529457C13</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; rus</language><creationdate>2014</creationdate><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION ORPROCESSING OF GOODS</topic><topic>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC</topic><topic>GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS</topic><topic>SEMICONDUCTOR DEVICES</topic><topic>TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS</topic><topic>TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINSTCLIMATE CHANGE</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>DZJADUKH STANISLAV MIKHAJLOVICH</creatorcontrib><creatorcontrib>SIDOROV JURIJ GEORGIEVICH</creatorcontrib><creatorcontrib>NESMELOV SERGEJ NIKOLAEVICH</creatorcontrib><creatorcontrib>VASIL'EV VLADIMIR VASIL'EVICH</creatorcontrib><creatorcontrib>VOJTSEKHOVSKIJ ALEKSANDR VASIL'EVICH</creatorcontrib><creatorcontrib>DVORETSKIJ SERGEJ ALEKSEEVICH</creatorcontrib><creatorcontrib>VARAVIN VASILIJ SEMENOVICH</creatorcontrib><creatorcontrib>JAKUSHEV MAKSIM VITAL'EVICH</creatorcontrib><creatorcontrib>MIKHAJLOV NIKOLAJ NIKOLAEVICH</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>DZJADUKH STANISLAV MIKHAJLOVICH</au><au>SIDOROV JURIJ GEORGIEVICH</au><au>NESMELOV SERGEJ NIKOLAEVICH</au><au>VASIL'EV VLADIMIR VASIL'EVICH</au><au>VOJTSEKHOVSKIJ ALEKSANDR VASIL'EVICH</au><au>DVORETSKIJ SERGEJ ALEKSEEVICH</au><au>VARAVIN VASILIJ SEMENOVICH</au><au>JAKUSHEV MAKSIM VITAL'EVICH</au><au>MIKHAJLOV NIKOLAJ NIKOLAEVICH</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>INFRARED PHOTOSENSITIVE STRUCTURE AND METHOD OF MAKING SAME</title><date>2014-09-27</date><risdate>2014</risdate><abstract>FIELD: physics.SUBSTANCE: in an infrared photosensitive structure, having series-connected substrate, the top layer of which is made of CdTe, a lower variable-gap layer made of HgCdTe, wherein the value of x gradually decreases from a value in the range of (x+0.1)-1, to a value x, a detector layer made of HgCdTe, where x=x=0.2-0.3, as well as series-connected top variable-gap layer made of HgCdTe, wherein the value of x gradually increases from a value xto a value in the range of (x+0.1)-1, an insulating layer made of CdTe, a dielectric layer made of SiO, a dielectric layer made of SiN, and a top conducting layer which is transparent for infrared radiation; the detector layer further includes alternating barrier layers and quantum well layers made of HgCdTe, the minimum number of which is equal to three, with optional addition of a number of pairs of alternating layers from 1 to 100, wherein at the boundary between the quantum well layer and the barrier layer, the values of x change abruptly in the range of x=0.5-1.0 and x=0-0.15 for thickness of each of the barrier layers of 20-100 nm and thickness of each of the quantum well layers of 5-20 nm.EFFECT: wider operating frequency range of a photosensitive structure and wider field of use of said structure.13 cl, 1 dwg
Изобретение относится к инфракрасной технике и технологии изготовления устройств инфракрасной техники, конкретно к фотоприемным устройствам ИК-диапазона длин волн и к технологии их изготовления. Сущность изобретения состоит в том, что в фоточувствительной к инфракрасному излучению структуре, содержащей последовательно соединенные подложку, верхний слой которой выполнен из CdTe, нижний варизонный слой, изготовленный из HgCdTe, в котором значение x плавно уменьшается от значения, находящегося в пределах (х+0,1)÷1, до значения x, детекторный слой, изготовленный из HgCdTe, где x=x=0,2-0,3, а также последовательно соединенные верхний варизонный слой, изготовленный из HgCdTe, в котором значение x плавно увеличивается от значения xдо значения, находящегося в пределах (x+0,1)÷1, изолирующий слой, изготовленный из CdTe, диэлектрический слой, изготовленный из SiO, диэлектрический слой, изготовленный из SiN, и верхний, прозрачный для инфракрасного излучения проводящий слой, в детекторный слой дополнительно введены чередующиеся барьерные слои и слои квантовых ям, изготовленные из HgCdTe, минимальное количество которых равно трем, с возможным добавлением числа пар чередующихся слоев от 1 до 100, при этом на границах между слоем квантовых ям и барьерным слоем значения x ступенчато изменяются в пределах x=0,5-1,0 и x=0-0,15 при толщине каждого из барьерных слоев 20-100 нм и толщине каждого из слоев квантовых ям 5-20 нм. Такжепредложен способе изготовления предлагаемой структуры. Изобретение обеспечивает возможность расширения диапазона рабочих частот фоточувствительной структуры и расширения области ее применения. 2 н. и 11 з.п. ф-лы, 1 ил.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
| fulltext | fulltext_linktorsrc |
| identifier | |
| ispartof | |
| issn | |
| language | eng ; rus |
| recordid | cdi_epo_espacenet_RU2529457C1 |
| source | esp@cenet |
| subjects | BASIC ELECTRIC ELEMENTS CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION ORPROCESSING OF GOODS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS SEMICONDUCTOR DEVICES TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINSTCLIMATE CHANGE |
| title | INFRARED PHOTOSENSITIVE STRUCTURE AND METHOD OF MAKING SAME |
| url | https://sfx.bib-bvb.de/sfx_tum?ctx_ver=Z39.88-2004&ctx_enc=info:ofi/enc:UTF-8&ctx_tim=2025-02-07T23%3A26%3A56IST&url_ver=Z39.88-2004&url_ctx_fmt=infofi/fmt:kev:mtx:ctx&rfr_id=info:sid/primo.exlibrisgroup.com:primo3-Article-epo_EVB&rft_val_fmt=info:ofi/fmt:kev:mtx:patent&rft.genre=patent&rft.au=DZJADUKH%20STANISLAV%20MIKHAJLOVICH&rft.date=2014-09-27&rft_id=info:doi/&rft_dat=%3Cepo_EVB%3ERU2529457C1%3C/epo_EVB%3E%3Curl%3E%3C/url%3E&disable_directlink=true&sfx.directlink=off&sfx.report_link=0&rft_id=info:oai/&rft_id=info:pmid/&rfr_iscdi=true |