INFRARED PHOTOSENSITIVE STRUCTURE AND METHOD OF MAKING SAME

FIELD: physics.SUBSTANCE: in an infrared photosensitive structure, having series-connected substrate, the top layer of which is made of CdTe, a lower variable-gap layer made of HgCdTe, wherein the value of x gradually decreases from a value in the range of (x+0.1)-1, to a value x, a detector layer made of HgCdTe, where x=x=0.2-0.3, as well as series-connected top variable-gap layer made of HgCdTe, wherein the value of x gradually increases from a value xto a value in the range of (x+0.1)-1, an insulating layer made of CdTe, a dielectric layer made of SiO, a dielectric layer made of SiN, and a top conducting layer which is transparent for infrared radiation; the detector layer further includes alternating barrier layers and quantum well layers made of HgCdTe, the minimum number of which is equal to three, with optional addition of a number of pairs of alternating layers from 1 to 100, wherein at the boundary between the quantum well layer and the barrier layer, the values of x change abruptly in the range of x=0.5-1.0 and x=0-0.15 for thickness of each of the barrier layers of 20-100 nm and thickness of each of the quantum well layers of 5-20 nm.EFFECT: wider operating frequency range of a photosensitive structure and wider field of use of said structure.13 cl, 1 dwg Изобретение относится к инфракрасной технике и технологии изготовления устройств инфракрасной техники, конкретно к фотоприемным устройствам ИК-диапазона длин волн и к технологии их изготовления. Сущность изобретения состоит в том, что в фоточувствительной к инфракрасному излучению структуре, содержащей последовательно соединенные подложку, верхний слой которой выполнен из CdTe, нижний варизонный слой, изготовленный из HgCdTe, в котором значение x плавно уменьшается от значения, находящегося в пределах (х+0,1)÷1, до значения x, детекторный слой, изготовленный из HgCdTe, где x=x=0,2-0,3, а также последовательно соединенные верхний варизонный слой, изготовленный из HgCdTe, в котором значение x плавно увеличивается от значения xдо значения, находящегося в пределах (x+0,1)÷1, изолирующий слой, изготовленный из CdTe, диэлектрический слой, изготовленный из SiO, диэлектрический слой, изготовленный из SiN, и верхний, прозрачный для инфракрасного излучения проводящий слой, в детекторный слой дополнительно введены чередующиеся барьерные слои и слои квантовых ям, изготовленные из HgCdTe, минимальное количество которых равно трем, с возможным добавлением числа пар чередующихся слоев от 1 до 100, при этом на