SEMICONDUCTOR LASER (VERSIONS)

FIELD: physics, optics.SUBSTANCE: disclosed group of inventions relates to semiconductor lasers. The semiconductor laser includes a heterostructure grown on a substrate having a buffer layer, a coating layer, a contact layer, an active region with an active quantum well or active quantum wells, made in a p-n and/or p-i-n junction, formed in the surrounding semiconductor layers, with the refraction index of the active quantum well or refraction indices of the active quantum wells greater than the refraction index of the surrounding semiconductor layers. A waveguide is formed by all layers of the heterostructure owing to difference in the refraction indices of the active quantum well or active quantum wells and the surrounding semiconductor layers, wherein the substrate is doped more than the region with the quantum well or the region with the quantum wells, the doping level of the substrate is 10-3*10cm, the buffer layer has the same doping level as the substrate, the coating layer is less doped than the substrate, the doping level of the coating layer is 10-5*10cm, the contact layer is heavily doped, the doping level of the contact layer is 10-5*10cm.EFFECT: reduced transverse divergence of radiation, reduced internal optical losses, cheaper and easier manufacturing.4 cl, 5 dwg Предложенная группа изобретений относится к полупроводниковым лазерам. Полупроводниковый лазер включает гетероструктуру, выращенную на подложке, содержащей буферный слой, покровный слой, контактный слой, активную область с активной квантовой ямой либо с активными квантовыми ямами, выполненную в p-n- и/или в p-i-n- переходе, сформированном в окружающих ее слоях полупроводника, с показателем преломления активной квантовой ямы либо с показателями преломления активных квантовых ям, превышающих показатели преломления окружающих слоев полупроводника. Волновод сформирован всеми слоями гетероструктуры за счет разности показателей преломления активной квантовой ямы либо активных квантовых ям и окружающих слоев полупроводника, при этом подложка легирована сильнее, чем область с квантовой ямой или чем область с квантовыми ямами, степень легирования подложки составляет 10-3*10см, буферный слой выполнен с той же степенью легирования, что и подложка, покровный слой легирован слабо, слабее, чем подложка, степень легирования покровного слоя составляет 10-5*10см, контактный слой легирован сильно, степень легирования контактного слоя составляет 10-5*10см. Технический результат заключается в снижении