METHOD TO MAKE HIGH VOLTAGE SILICON-CARBIDE DIODE BASED ON ION-DOPED P-N-STRUCTURES

FIELD: electricity.SUBSTANCE: method to make a high voltage silicon-carbide diode based on ion-doped p-n-structures involves coating of a heavily doped substrate 6H-SiC with low-doped epitaxial layer 10÷15 mcm thick by chemical deposition from gas phase, afterwards the said layer is subject to ion-implantation by acceptor impurity A1 or V with the energy of 80÷100 keV and dose of 5000÷7000 microcoulomb/cm, that allows for maximal increase of the width of space charge region of a p-n-junction (w~10 mcm) at which no inversion of charge carriers occurs in the near-surface layer, the value of breakdown voltage of the p-n-junction reaches ~1200 V.EFFECT: production of a high voltage silicon-carbide diode based on ion-doped p-n-structures.1 dwg Изобретение относится к твердотельной электронике, в частности к технологии изготовления высоковольтных карбидокремниевых полупроводниковых приборов на основе p-n-перехода с использованием ионной имплантации. Технический результат, достигаемый при реализации заявленного изобретения, заключается в получении высоковольтного карбидокремниевого диода на основе ионно-легированных p-n-структур с напряжением пробоя ~1200 В. В способе формирования высоковольтного карбидокремниевого диода на основе ионно-легированных p-n-структур на сильнолегированную подложку 6H-SiC наносят методом химического осаждения из газовой фазы слаболегированный эпитаксиальный слой толщиной 1015 мкм, после чего проводят ионное легирование этого слоя акцепторной примесью А1 или В с энергией 80100 кэВ и дозой 50007000 мкКл/см, что позволяет максимально увеличить ширину области пространственного заряда p-n-перехода (w~10 мкм), при которой в приповерхностном p-слое не возникает инверсии носителей заряда, при этом достигается величина напряжения пробоя p-n-перехода ~1200 В. 1 ил.