METHOD OF CREATING SHALLOWLY-LYING NANOSIZED ALLOYED LAYERS IN SILICON

FIELD: chemistry.SUBSTANCE: method of creating shallowly-lying nanosized alloyed layers in silicon includes application on silicon of a thin film of a chemical compound of an alloyed element from a gas phase, irradiation of the obtained structure by a beam of ions and removal of the film residues from the surface; novelty of the method consists in carrying out the process directly in a chamber of ionic irradiation with preliminary cooling the silicon substrate to a temperature lower than the temperature of melting of the chemical compound of the alloyed element, with application of the thin film on silicon from the gas phase being carried out by input in the chamber of ionic irradiation of a gaseous chemical compound of the alloyed element and removal of the film residues after ionic irradiation at the said temperature by heating the silicon substrate.EFFECT: simplification of technology with simultaneous improvement of quality of created shallowly-lying nanosized alloyed layers in silicon.1 dwg Изобретение относится к области технологии микроэлектроники и может быть использовано для получения тонкого легированного примесью слоя в кремнии для создания мелко залегающих p-n-переходов. Предложенное изобретение решает задачу упрощения технологии с одновременным улучшением качества создаваемых мелко залегающих наноразмерных легированных слоев в кремнии. Способ создания мелко залегающих наноразмерных легированных слоев в кремнии включает в себя нанесение из газовой фазы на кремний тонкой пленки химического соединения легируемого элемента, облучение полученной структуры пучком ионов и удаление остатков пленки с поверхности, новизна которого заключается в том, что процесс проводят непосредственно в камере ионного облучения, предварительно подложку кремния охлаждают до температуры ниже температуры плавления химического соединения легируемого элемента, а нанесение из газовой фазы на кремний тонкой пленки производят путем напуска в камеру ионного облучения газообразного химического соединения легируемого элемента и после ионного облучения при этой температуре удаление остатков пленки проводят нагревом подложки кремния. 1 ил.