METHOD OF FORMING MAGNETORESISTIVE MEMORY ELEMENT BASED ON TUNNEL JUNCTION AND STRUCTURE THEREOF

FIELD: physics.SUBSTANCE: invention relates to electronic engineering and can be used to form read-only memory and as magnetic field sensors. The method of forming a magnetoresistive memory element based on a tunnel junction includes depositing on a substrate a magnetoresistive structure comprising free and linked magnetic layers, separated by a dielectric tunnel layer, followed by formation of a memory element structure; a multilayer Au/Ta structure is deposited by magnetron sputtering on the surface of the substrate to form a lower nonmagnetic conducting electrode before depositing the magnetoresistive structure, and a memory element is obtained by forming an Au/Ta/Co/TaO/Co/Au structure using a planar technique.EFFECT: forming a magnetoresistive memory element consisting of two ferromagnetic films separated by a tunnel-transparent dielectric barrier with the possibility of integrating a CMOS/SOI planar technique into a large-scale IC, investigating the possibility of varying electrical resistance of a MTJ element with a sufficient level of variation of magnetoresistive resistance for industrial implementation through remagnetisation of one of the ferromagnetic layers with an external magnetic field.20 cl, 33 dwg Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано для формирования постоянных запоминающих устройств, а также в качестве датчиков магнитного поля. Технический результат изобретения - создание магниторезистивного элемента памяти, состоящего из двух ферромагнитных пленок, разделенных туннельно-прозрачным диэлектрическим барьером с возможностью интеграции в БИС планарной технологии КМОП/КНД, исследование возможности изменения электросопротивления элемента «MTJ» с достаточным уровнем изменения магниторезистивного сопротивления для промышленной реализации путем перемагничивания одного из ферромагнитных слоев внешним магнитным полем. В способе формирования магниторезистивного элемента памяти на основе туннельного перехода, включающем нанесение на подложку магниторезистивной структуры, включающей свободный и связанный магнитные слои, разделенные диэлектрической туннельной прослойкой, с последующим формированием структуры элемента памяти, перед нанесением магниторезистивной структуры на поверхность подложки для формирования нижнего немагнитного проводящего электрода методом магнетронного распыления наносят многослойную структуру Au/Та,а элемент памяти получают путем формирования структуры Au/Та/Со/ТаО/Со/Auметодом планарной технологи