TUNABLE SUB-TERAHERTZ RANGE HETERODYNE CRYOGENIC GENERATOR BASED ON DISTRIBUTED TUNNEL JUNCTION FOR INTEGRATED RECEIVING SYSTEMS

FIELD: physics.SUBSTANCE: in the cryogenic generator of a heterodyne for integrated receiving devices in the sub-terahertz range, based on the distributed tunnel junction superconductor-insulator-superconductor, made on a substrate of crystalline insulating material, the back side of the substrate i...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: KOSHELETS VALERIJ PAVLOVICH, DMITRIEV PAVEL NIKOLAEVICH, FILIPPENKO LJUDMILA VIKTOROVNA
Format: Patent
Sprache:eng ; rus
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext bestellen
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Beschreibung
Zusammenfassung:FIELD: physics.SUBSTANCE: in the cryogenic generator of a heterodyne for integrated receiving devices in the sub-terahertz range, based on the distributed tunnel junction superconductor-insulator-superconductor, made on a substrate of crystalline insulating material, the back side of the substrate is rough with the size of inhomogeneities comparable with the sound wavelength in the sub-terahertz range in the crystalline substrate.EFFECT: continuous tuning of the frequency of the cryogenic generator for facilitating phase-lock control to a reference synthesiser at an arbitrary frequency in the entire tuning range.7 cl, 7 dwg Изобретение относится к сверхпроводниковой электронике и может быть использовано при создании терагерцовых спектрометров, предназначенных для радиоастрономии, исследования атмосферы Земли, медицинской диагностики, а также для систем контроля и обеспечения безопасности. Техническим результатом изобретения является реализация непрерывной перестройки частоты криогенного генератора для обеспечения возможности фазовой подстройки частоты к опорному синтезатору на произвольной частоте во всем диапазоне перестройки. В криогенном генераторе гетеродина для интегральных приемных устройств субтерагерцового диапазона на основе распределенного туннельного перехода сверхпроводник-изолятор-сверхпроводник, изготовленного на подложке из кристаллического изолирующего материала, обратная сторона подложки выполнена шероховатой, с размером неоднородностей соизмеримой с длиной звуковой волны субтерагерцового диапазона в кристаллической подложке. 6 з.п. ф-лы, 7 ил.