TUNABLE SUB-TERAHERTZ RANGE HETERODYNE CRYOGENIC GENERATOR BASED ON DISTRIBUTED TUNNEL JUNCTION FOR INTEGRATED RECEIVING SYSTEMS
FIELD: physics.SUBSTANCE: in the cryogenic generator of a heterodyne for integrated receiving devices in the sub-terahertz range, based on the distributed tunnel junction superconductor-insulator-superconductor, made on a substrate of crystalline insulating material, the back side of the substrate i...
Gespeichert in:
Hauptverfasser: | , , |
---|---|
Format: | Patent |
Sprache: | eng ; rus |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext bestellen |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Zusammenfassung: | FIELD: physics.SUBSTANCE: in the cryogenic generator of a heterodyne for integrated receiving devices in the sub-terahertz range, based on the distributed tunnel junction superconductor-insulator-superconductor, made on a substrate of crystalline insulating material, the back side of the substrate is rough with the size of inhomogeneities comparable with the sound wavelength in the sub-terahertz range in the crystalline substrate.EFFECT: continuous tuning of the frequency of the cryogenic generator for facilitating phase-lock control to a reference synthesiser at an arbitrary frequency in the entire tuning range.7 cl, 7 dwg
Изобретение относится к сверхпроводниковой электронике и может быть использовано при создании терагерцовых спектрометров, предназначенных для радиоастрономии, исследования атмосферы Земли, медицинской диагностики, а также для систем контроля и обеспечения безопасности. Техническим результатом изобретения является реализация непрерывной перестройки частоты криогенного генератора для обеспечения возможности фазовой подстройки частоты к опорному синтезатору на произвольной частоте во всем диапазоне перестройки. В криогенном генераторе гетеродина для интегральных приемных устройств субтерагерцового диапазона на основе распределенного туннельного перехода сверхпроводник-изолятор-сверхпроводник, изготовленного на подложке из кристаллического изолирующего материала, обратная сторона подложки выполнена шероховатой, с размером неоднородностей соизмеримой с длиной звуковой волны субтерагерцового диапазона в кристаллической подложке. 6 з.п. ф-лы, 7 ил. |
---|