METHOD OF MAKING PHOTODETECTOR ARRAY
FIELD: physics.SUBSTANCE: invention relates to the technology of producing semiconductor photodetectors and can be used to design multielement photodetectors for various purposes. Producing a photodetector array from bulk material requires thinning the base region of an array photosensitive element...
Gespeichert in:
| Hauptverfasser: | , , , , , |
|---|---|
| Format: | Patent |
| Sprache: | eng ; rus |
| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | Volltext bestellen |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| container_end_page | |
|---|---|
| container_issue | |
| container_start_page | |
| container_title | |
| container_volume | |
| creator | LOPUKHIN ALEKSEJ ALEKSEEVICH UMNIKOVA ELENA VASIL'EVNA RJABOVA ANNA ALEKSEEVNA KISELEVA LARISA VASIL'EVNA FILACHEV ANATOLIJ MIKHAJLOVICH KOZHARINOVA ELENA ANATOL'EVNA |
| description | FIELD: physics.SUBSTANCE: invention relates to the technology of producing semiconductor photodetectors and can be used to design multielement photodetectors for various purposes. Producing a photodetector array from bulk material requires thinning the base region of an array photosensitive element to thickness of 10-15 mcm. The thinning process includes chemical-mechanical polishing to thickness of the base region of the photosensitive element of 80-100 mcm and chemical-dynamic polishing to final thickness. A photosensitive element with a thick base region is made with a peripheral region which is not coated with a dielectric coating on the front side of a chip with thickness of 200-300 mcm. Thinning completely eliminates a peripheral non-etched part of the dielectric coating on the front side of the array photosensitive element.EFFECT: high quality of the photodetector by preventing remains of a non-etched part of the dielectric coating on the side where an antireflection coating is deposited.3 dwg
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых фотоприемников и может использоваться для создания многоэлементных фотоприемников различного назначения. Изготовление матричного фотоприемника (МФП) из объемного материала требует утоньшения базовой области матричного фоточувствительного элемента (МФЧЭ) до толщины 10÷15 мкм. Процесс утоньшения включает химико-механическую полировку до толщины базовой области фоточувствительного элемента 80÷100 мкм и химико-динамическую полировку до конечной толщины. Технический результат - повышение качества фотоприемника за счет исключения появления остатков нестравленной части диэлектрического покрытия со стороны нанесения просветляющего покрытия. Фоточувствительный элемент с толстой базовой областью изготавливают с не закрытой диэлектрическим покрытием периферийной областью на лицевой стороне кристалла шириной 200-300 мкм. В результате утоньшения полностью отсутствует периферийная нестравленная часть диэлектрического покрытия на лицевой стороне МФЧЭ. 3 ил. |
| format | Patent |
| fullrecord | <record><control><sourceid>epo_EVB</sourceid><recordid>TN_cdi_epo_espacenet_RU2522681C2</recordid><sourceformat>XML</sourceformat><sourcesystem>PC</sourcesystem><sourcerecordid>RU2522681C2</sourcerecordid><originalsourceid>FETCH-epo_espacenet_RU2522681C23</originalsourceid><addsrcrecordid>eNrjZFDxdQ3x8HdR8HdT8HX09vRzVwjw8A_xd3ENcXUO8Q9ScAwKcozkYWBNS8wpTuWF0twMCm6uIc4euqkF-fGpxQWJyal5qSXxQaFGpkZGZhaGzkbGRCgBADvSIsE</addsrcrecordid><sourcetype>Open Access Repository</sourcetype><iscdi>true</iscdi><recordtype>patent</recordtype></control><display><type>patent</type><title>METHOD OF MAKING PHOTODETECTOR ARRAY</title><source>esp@cenet</source><creator>LOPUKHIN ALEKSEJ ALEKSEEVICH ; UMNIKOVA ELENA VASIL'EVNA ; RJABOVA ANNA ALEKSEEVNA ; KISELEVA LARISA VASIL'EVNA ; FILACHEV ANATOLIJ MIKHAJLOVICH ; KOZHARINOVA ELENA ANATOL'EVNA</creator><creatorcontrib>LOPUKHIN ALEKSEJ ALEKSEEVICH ; UMNIKOVA ELENA VASIL'EVNA ; RJABOVA ANNA ALEKSEEVNA ; KISELEVA LARISA VASIL'EVNA ; FILACHEV ANATOLIJ MIKHAJLOVICH ; KOZHARINOVA ELENA ANATOL'EVNA</creatorcontrib><description>FIELD: physics.SUBSTANCE: invention relates to the technology of producing semiconductor photodetectors and can be used to design multielement photodetectors for various purposes. Producing a photodetector array from bulk material requires thinning the base region of an array photosensitive element to thickness of 10-15 mcm. The thinning process includes chemical-mechanical polishing to thickness of the base region of the photosensitive element of 80-100 mcm and chemical-dynamic polishing to final thickness. A photosensitive element with a thick base region is made with a peripheral region which is not coated with a dielectric coating on the front side of a chip with thickness of 200-300 mcm. Thinning completely eliminates a peripheral non-etched part of the dielectric coating on the front side of the array photosensitive element.EFFECT: high quality of the photodetector by preventing remains of a non-etched part of the dielectric coating on the side where an antireflection coating is deposited.3 dwg
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых фотоприемников и может использоваться для создания многоэлементных фотоприемников различного назначения. Изготовление матричного фотоприемника (МФП) из объемного материала требует утоньшения базовой области матричного фоточувствительного элемента (МФЧЭ) до толщины 10÷15 мкм. Процесс утоньшения включает химико-механическую полировку до толщины базовой области фоточувствительного элемента 80÷100 мкм и химико-динамическую полировку до конечной толщины. Технический результат - повышение качества фотоприемника за счет исключения появления остатков нестравленной части диэлектрического покрытия со стороны нанесения просветляющего покрытия. Фоточувствительный элемент с толстой базовой областью изготавливают с не закрытой диэлектрическим покрытием периферийной областью на лицевой стороне кристалла шириной 200-300 мкм. В результате утоньшения полностью отсутствует периферийная нестравленная часть диэлектрического покрытия на лицевой стороне МФЧЭ. 3 ил.</description><language>eng ; rus</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS ; ELECTRICITY</subject><creationdate>2014</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20140720&DB=EPODOC&CC=RU&NR=2522681C2$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,780,885,25564,76547</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20140720&DB=EPODOC&CC=RU&NR=2522681C2$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>LOPUKHIN ALEKSEJ ALEKSEEVICH</creatorcontrib><creatorcontrib>UMNIKOVA ELENA VASIL'EVNA</creatorcontrib><creatorcontrib>RJABOVA ANNA ALEKSEEVNA</creatorcontrib><creatorcontrib>KISELEVA LARISA VASIL'EVNA</creatorcontrib><creatorcontrib>FILACHEV ANATOLIJ MIKHAJLOVICH</creatorcontrib><creatorcontrib>KOZHARINOVA ELENA ANATOL'EVNA</creatorcontrib><title>METHOD OF MAKING PHOTODETECTOR ARRAY</title><description>FIELD: physics.SUBSTANCE: invention relates to the technology of producing semiconductor photodetectors and can be used to design multielement photodetectors for various purposes. Producing a photodetector array from bulk material requires thinning the base region of an array photosensitive element to thickness of 10-15 mcm. The thinning process includes chemical-mechanical polishing to thickness of the base region of the photosensitive element of 80-100 mcm and chemical-dynamic polishing to final thickness. A photosensitive element with a thick base region is made with a peripheral region which is not coated with a dielectric coating on the front side of a chip with thickness of 200-300 mcm. Thinning completely eliminates a peripheral non-etched part of the dielectric coating on the front side of the array photosensitive element.EFFECT: high quality of the photodetector by preventing remains of a non-etched part of the dielectric coating on the side where an antireflection coating is deposited.3 dwg
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых фотоприемников и может использоваться для создания многоэлементных фотоприемников различного назначения. Изготовление матричного фотоприемника (МФП) из объемного материала требует утоньшения базовой области матричного фоточувствительного элемента (МФЧЭ) до толщины 10÷15 мкм. Процесс утоньшения включает химико-механическую полировку до толщины базовой области фоточувствительного элемента 80÷100 мкм и химико-динамическую полировку до конечной толщины. Технический результат - повышение качества фотоприемника за счет исключения появления остатков нестравленной части диэлектрического покрытия со стороны нанесения просветляющего покрытия. Фоточувствительный элемент с толстой базовой областью изготавливают с не закрытой диэлектрическим покрытием периферийной областью на лицевой стороне кристалла шириной 200-300 мкм. В результате утоньшения полностью отсутствует периферийная нестравленная часть диэлектрического покрытия на лицевой стороне МФЧЭ. 3 ил.</description><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS</subject><subject>ELECTRICITY</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2014</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZFDxdQ3x8HdR8HdT8HX09vRzVwjw8A_xd3ENcXUO8Q9ScAwKcozkYWBNS8wpTuWF0twMCm6uIc4euqkF-fGpxQWJyal5qSXxQaFGpkZGZhaGzkbGRCgBADvSIsE</recordid><startdate>20140720</startdate><enddate>20140720</enddate><creator>LOPUKHIN ALEKSEJ ALEKSEEVICH</creator><creator>UMNIKOVA ELENA VASIL'EVNA</creator><creator>RJABOVA ANNA ALEKSEEVNA</creator><creator>KISELEVA LARISA VASIL'EVNA</creator><creator>FILACHEV ANATOLIJ MIKHAJLOVICH</creator><creator>KOZHARINOVA ELENA ANATOL'EVNA</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20140720</creationdate><title>METHOD OF MAKING PHOTODETECTOR ARRAY</title><author>LOPUKHIN ALEKSEJ ALEKSEEVICH ; UMNIKOVA ELENA VASIL'EVNA ; RJABOVA ANNA ALEKSEEVNA ; KISELEVA LARISA VASIL'EVNA ; FILACHEV ANATOLIJ MIKHAJLOVICH ; KOZHARINOVA ELENA ANATOL'EVNA</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_RU2522681C23</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; rus</language><creationdate>2014</creationdate><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS</topic><topic>ELECTRICITY</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>LOPUKHIN ALEKSEJ ALEKSEEVICH</creatorcontrib><creatorcontrib>UMNIKOVA ELENA VASIL'EVNA</creatorcontrib><creatorcontrib>RJABOVA ANNA ALEKSEEVNA</creatorcontrib><creatorcontrib>KISELEVA LARISA VASIL'EVNA</creatorcontrib><creatorcontrib>FILACHEV ANATOLIJ MIKHAJLOVICH</creatorcontrib><creatorcontrib>KOZHARINOVA ELENA ANATOL'EVNA</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>LOPUKHIN ALEKSEJ ALEKSEEVICH</au><au>UMNIKOVA ELENA VASIL'EVNA</au><au>RJABOVA ANNA ALEKSEEVNA</au><au>KISELEVA LARISA VASIL'EVNA</au><au>FILACHEV ANATOLIJ MIKHAJLOVICH</au><au>KOZHARINOVA ELENA ANATOL'EVNA</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>METHOD OF MAKING PHOTODETECTOR ARRAY</title><date>2014-07-20</date><risdate>2014</risdate><abstract>FIELD: physics.SUBSTANCE: invention relates to the technology of producing semiconductor photodetectors and can be used to design multielement photodetectors for various purposes. Producing a photodetector array from bulk material requires thinning the base region of an array photosensitive element to thickness of 10-15 mcm. The thinning process includes chemical-mechanical polishing to thickness of the base region of the photosensitive element of 80-100 mcm and chemical-dynamic polishing to final thickness. A photosensitive element with a thick base region is made with a peripheral region which is not coated with a dielectric coating on the front side of a chip with thickness of 200-300 mcm. Thinning completely eliminates a peripheral non-etched part of the dielectric coating on the front side of the array photosensitive element.EFFECT: high quality of the photodetector by preventing remains of a non-etched part of the dielectric coating on the side where an antireflection coating is deposited.3 dwg
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых фотоприемников и может использоваться для создания многоэлементных фотоприемников различного назначения. Изготовление матричного фотоприемника (МФП) из объемного материала требует утоньшения базовой области матричного фоточувствительного элемента (МФЧЭ) до толщины 10÷15 мкм. Процесс утоньшения включает химико-механическую полировку до толщины базовой области фоточувствительного элемента 80÷100 мкм и химико-динамическую полировку до конечной толщины. Технический результат - повышение качества фотоприемника за счет исключения появления остатков нестравленной части диэлектрического покрытия со стороны нанесения просветляющего покрытия. Фоточувствительный элемент с толстой базовой областью изготавливают с не закрытой диэлектрическим покрытием периферийной областью на лицевой стороне кристалла шириной 200-300 мкм. В результате утоньшения полностью отсутствует периферийная нестравленная часть диэлектрического покрытия на лицевой стороне МФЧЭ. 3 ил.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
| fulltext | fulltext_linktorsrc |
| identifier | |
| ispartof | |
| issn | |
| language | eng ; rus |
| recordid | cdi_epo_espacenet_RU2522681C2 |
| source | esp@cenet |
| subjects | BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS ELECTRICITY |
| title | METHOD OF MAKING PHOTODETECTOR ARRAY |
| url | https://sfx.bib-bvb.de/sfx_tum?ctx_ver=Z39.88-2004&ctx_enc=info:ofi/enc:UTF-8&ctx_tim=2024-12-26T09%3A41%3A58IST&url_ver=Z39.88-2004&url_ctx_fmt=infofi/fmt:kev:mtx:ctx&rfr_id=info:sid/primo.exlibrisgroup.com:primo3-Article-epo_EVB&rft_val_fmt=info:ofi/fmt:kev:mtx:patent&rft.genre=patent&rft.au=LOPUKHIN%20ALEKSEJ%20ALEKSEEVICH&rft.date=2014-07-20&rft_id=info:doi/&rft_dat=%3Cepo_EVB%3ERU2522681C2%3C/epo_EVB%3E%3Curl%3E%3C/url%3E&disable_directlink=true&sfx.directlink=off&sfx.report_link=0&rft_id=info:oai/&rft_id=info:pmid/&rfr_iscdi=true |