METHOD OF MAKING PHOTODETECTOR ARRAY

FIELD: physics.SUBSTANCE: invention relates to the technology of producing semiconductor photodetectors and can be used to design multielement photodetectors for various purposes. Producing a photodetector array from bulk material requires thinning the base region of an array photosensitive element to thickness of 10-15 mcm. The thinning process includes chemical-mechanical polishing to thickness of the base region of the photosensitive element of 80-100 mcm and chemical-dynamic polishing to final thickness. A photosensitive element with a thick base region is made with a peripheral region which is not coated with a dielectric coating on the front side of a chip with thickness of 200-300 mcm. Thinning completely eliminates a peripheral non-etched part of the dielectric coating on the front side of the array photosensitive element.EFFECT: high quality of the photodetector by preventing remains of a non-etched part of the dielectric coating on the side where an antireflection coating is deposited.3 dwg Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых фотоприемников и может использоваться для создания многоэлементных фотоприемников различного назначения. Изготовление матричного фотоприемника (МФП) из объемного материала требует утоньшения базовой области матричного фоточувствительного элемента (МФЧЭ) до толщины 10÷15 мкм. Процесс утоньшения включает химико-механическую полировку до толщины базовой области фоточувствительного элемента 80÷100 мкм и химико-динамическую полировку до конечной толщины. Технический результат - повышение качества фотоприемника за счет исключения появления остатков нестравленной части диэлектрического покрытия со стороны нанесения просветляющего покрытия. Фоточувствительный элемент с толстой базовой областью изготавливают с не закрытой диэлектрическим покрытием периферийной областью на лицевой стороне кристалла шириной 200-300 мкм. В результате утоньшения полностью отсутствует периферийная нестравленная часть диэлектрического покрытия на лицевой стороне МФЧЭ. 3 ил.