INTEGRATED INJECTION LASER WITH RADIATION FREQUENCY MODULATION BY CONTROLLED RELOCATION OF AMPLITUDE MAXIMUM OF WAVE FUNCTIONS OF CHARGE CARRIERS

FIELD: physics, optics.SUBSTANCE: invention relates to quantum electronic engineering. The integrated injection laser includes an upper control region of second conductivity type which adjoins an upper waveguide layer, a lower control region of second conductivity type which adjoins a lower waveguide layer, a lower control region of first conductivity type which adjoins a substrate at the top and the lower control region of second conductivity type at the bottom to form a p-n junction, an ohmic contact to the lower control region of first conductivity type, a control metal contact adjoining the upper control region of second conductivity type at the top to form a Schottky junction. The lower boundary of the conduction band of the lower waveguide layer lies below the lower boundary of the conduction band of the quantum-size active region and higher than the lower boundary of the conduction band of the upper waveguide layer. The upper boundary of the valence band of the lower waveguide layer lies below the upper boundary of the valence band of the active region and higher than the upper boundary of the valence band of the upper waveguide layer.EFFECT: faster operation of the device.3 dwg Изобретение относится к квантовой электронной технике. В интегральный инжекционный лазер введены верхняя управляющая область второго типа проводимости, примыкающая к верхнему волноводному слою, нижняя управляющая область второго типа проводимости, примыкающая к нижнему волноводному слою, нижняя управляющая область первого типа проводимости, примыкающая сверху к подложке, а снизу - к нижней управляющей области второго типа проводимости и образующая с ней p-n-переход, омический контакт к нижней управляющей области первого типа проводимости, управляющий металлический контакт, примыкающий сверху к верхней управляющей области второго типа проводимости и образующий с ней переход Шоттки. Нижняя граница зоны проводимости нижнего волноводного слоя находится ниже нижней границы зоны проводимости квантоворазмерной активной области и при этом выше нижней границы зоны проводимости верхнего волноводного слоя. Верхняя граница валентной зоны нижнего волноводного слоя находится ниже верхней границы валентной зоны активной области и при этом выше верхней границы валентной зоны верхнего волноводного слоя. Технический результат заключается в обеспечении возможности увеличения быстродействия устройства. 3 ил.