HYBRID PHOTOSENSITIVE CIRCUIT (HPC)
FIELD: physics.SUBSTANCE: hybrid photosensitive circuit includes a diamond matrix photodetector, indium columns and a silicon multiplexer with sensitive sites arranged thereon in a staggered manner in form of a rectangular matrix and the number of which is equal to the number of indium columns. The...
Gespeichert in:
Hauptverfasser: | , , , , , |
---|---|
Format: | Patent |
Sprache: | eng ; rus |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext bestellen |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Zusammenfassung: | FIELD: physics.SUBSTANCE: hybrid photosensitive circuit includes a diamond matrix photodetector, indium columns and a silicon multiplexer with sensitive sites arranged thereon in a staggered manner in form of a rectangular matrix and the number of which is equal to the number of indium columns. The matrix photodetector includes a diamond plate and an upper flat electrode lying thereon, as well as lower electrodes of sensitive elements of the matrix photodetector, the number of which is equal to the number of indium columns lying under the diamond plate. On the lower side of the diamond plate there are boron-doped sites arranged in a staggered manner; upper contact surfaces of odd or even lower electrodes are galvanically connected to the lower surface of the diamond plate, and the upper contact surfaces of the odd or even lower electrodes are galvanically connected the boron-doped sites. Lower contact surfaces of lower electrodes are galvanically connected through indium columns to sensitive elements of the silicon multiplexer.EFFECT: expanding the detected radiation range 75-fold owing to simultaneous recording of the image in the ultraviolet and infrared spectrum.3 dwg
Изобретение относится к области полупроводниковой электроники и может быть использовано при создании многоспектральных и многоэлементных фотоприемников. Гибридная фоточувствительная схема содержит алмазный матричный фотоприемник (МФП), индиевые столбики и кремниевый мультиплексор с чувствительными площадками, расположенными на нем в шахматном порядке в виде прямоугольной матрицы и по числу равными числу индиевых столбиков. В состав МФП входят алмазная пластина и расположенный на ней верхний плоский электрод, а также нижние электроды чувствительных элементов МФП, по числу равные числу индиевых столбиков, расположенных под алмазной пластиной. На нижней стороне алмазной пластины сформированы в шахматном порядке легированные бором площадки, верхние контактные поверхности четных или нечетных нижних электродов гальванически соединены с нижней поверхностью алмазной пластилины, а верхние контактные поверхности нечетных или четных нижних электродов гальванически соединены с площадками, легированными бором. Нижние контактные поверхности нижних электродов через индиевые столбики гальванически соединены с чувствительными элементами кремниевого мультиплексора. Изобретение обеспечивает расширение детектируемого диапазона излучения в 75 раз за счет одновременной регистрации изображения в УФ и ИК-спектре |
---|