MULTIELEMENT INFRARED PHOTODETECTOR

FIELD: physics, photography.SUBSTANCE: invention relates to multielement or matrix photodetectors based on indium antimonide, which are sensitive in the 3-5 mcm spectral range. The design of the matrix photodetectors increases output of non-defective articles and improves uniformity of parameters of matrix photodetectors in serial production owing to increase in quantum efficiency and elimination of the memory effect and the effect of the adhesive joint on the value of the photocurrent of photosensitive cells. The indium antimonide-based multielement photodetector includes an array of photosensitive cells with a thin base, switched by a multiplexer. The rear side of the array of photosensitive cells is coated with an antireflection coating, which contains an embedded charge whose sign is opposite that of majority charge carriers in the base of the array of photosensitive cells.EFFECT: design of a matrix photodetector.3 dwg Изобретение относится к многоэлементным или матричным фотоприемникам (МФП) на основе антимонида индия, чувствительным в спектральном диапазоне 3-5 мкм. Конструкция МФП позволяет повысить выход годных и улучшить однородность параметров МФП в серийном производстве за счет увеличения квантовой эффективности и устранения эффекта «памяти» и влияния клеевого соединения на величину фототоков фоточувствительных элементов (ФЧЭ). Многоэлементный фотоприемник на основе антимонида индия включает матрицу фоточувствительных элементов (МФЧЭ) с тонкой базой, скоммутированных с мультиплексором, на тыльную сторону матрицы фоточувствительных элементов нанесено просветляющее покрытие, содержащее встроенный заряд, знак которого противоположен знаку основных носителей заряда в базе МФЧЭ. 3 ил.