METHOD OF MAKING PHOTODETECTOR MODULE BASED ON PbSe
FIELD: physics, optics.SUBSTANCE: invention can be used in different optoelectronic equipment for detecting infrared radiation. The photodetector module based on PbSe, according to the invention, is a hybrid microassembly consisting of a photosensitive element in form of a PbSe-based line and a read...
Gespeichert in:
Hauptverfasser: | , , , , |
---|---|
Format: | Patent |
Sprache: | eng ; rus |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext bestellen |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
container_end_page | |
---|---|
container_issue | |
container_start_page | |
container_title | |
container_volume | |
creator | KAZAROVA JULIJA ANATOL'EVNA BOCHKOV VLADIMIR DMITRIEVICH KONDJUSHIN IL'JA SERGEEVICH BYCHKOVSKIJ JAROSLAV SERGEEVICH DRAZHNIKOV BORIS NIKOLAEVICH |
description | FIELD: physics, optics.SUBSTANCE: invention can be used in different optoelectronic equipment for detecting infrared radiation. The photodetector module based on PbSe, according to the invention, is a hybrid microassembly consisting of a photosensitive element in form of a PbSe-based line and a reading LSI chip (multiplexer), connected to each other by flip-chip method, wherein indium columns are deposited on terminals of solder pads of the photosensitive element which, besides layers of Cr, Pd, An, contain a sublayer of Cr and In, and mated with the indium columns deposited on the reading LSI chip to form an electrical and a mechanical bond.EFFECT: invention makes assembly considerably easy and increases the efficiency of manufacture using a batch cold welding method, which in turn enables to make the photodetector module in form of a hybrid assembly and mount the reading LSI chip on the photosensitive element, reduce size and increase reliability.3 dwg
Изобретение может быть использовано в различной оптико-электронной аппаратуре для обнаружения инфракрасного излучения. Фотоприемный модуль на основе PbSe согласно изобретению представляет собой гибридную микросборку, состоящую из фоточувствительного элемента, в виде линейки на основе PbSe и кристалла БИС-считывания (мультиплексора), соединенных между собой методом перевернутого монтажа (flip-chip), при этом индиевые столбики наносят на контактные площадки ламелей фоточувствительного элемента, которые помимо слоев Cr, Pd, An содержат подслой Cr и In, и стыкуют с индиевыми столбиками, нанесенными на БИС-считывания, образуя электрическую и механическую связь. Изобретение позволяет значительно снизить трудоемкость монтажа и повысить эффективность изготовления, используя метод групповой холодной сварки, что в свою очередь позволяет конструктивно выполнить фотоприемный модуль в виде гибридной сборки и расположить БИС-считывания на фоточувствительном элементе, снизить габариты и повысить надежность. 3 ил. |
format | Patent |
fullrecord | <record><control><sourceid>epo_EVB</sourceid><recordid>TN_cdi_epo_espacenet_RU2515190C1</recordid><sourceformat>XML</sourceformat><sourcesystem>PC</sourcesystem><sourcerecordid>RU2515190C1</sourcerecordid><originalsourceid>FETCH-epo_espacenet_RU2515190C13</originalsourceid><addsrcrecordid>eNrjZDD2dQ3x8HdR8HdT8HX09vRzVwjw8A_xd3ENcXUO8Q9S8PV3CfVxVXByDHYFKvJTCEgKTuVhYE1LzClO5YXS3AwKbq4hzh66qQX58anFBYnJqXmpJfFBoUamhqaGlgbOhsZEKAEAVZsm1Q</addsrcrecordid><sourcetype>Open Access Repository</sourcetype><iscdi>true</iscdi><recordtype>patent</recordtype></control><display><type>patent</type><title>METHOD OF MAKING PHOTODETECTOR MODULE BASED ON PbSe</title><source>esp@cenet</source><creator>KAZAROVA JULIJA ANATOL'EVNA ; BOCHKOV VLADIMIR DMITRIEVICH ; KONDJUSHIN IL'JA SERGEEVICH ; BYCHKOVSKIJ JAROSLAV SERGEEVICH ; DRAZHNIKOV BORIS NIKOLAEVICH</creator><creatorcontrib>KAZAROVA JULIJA ANATOL'EVNA ; BOCHKOV VLADIMIR DMITRIEVICH ; KONDJUSHIN IL'JA SERGEEVICH ; BYCHKOVSKIJ JAROSLAV SERGEEVICH ; DRAZHNIKOV BORIS NIKOLAEVICH</creatorcontrib><description>FIELD: physics, optics.SUBSTANCE: invention can be used in different optoelectronic equipment for detecting infrared radiation. The photodetector module based on PbSe, according to the invention, is a hybrid microassembly consisting of a photosensitive element in form of a PbSe-based line and a reading LSI chip (multiplexer), connected to each other by flip-chip method, wherein indium columns are deposited on terminals of solder pads of the photosensitive element which, besides layers of Cr, Pd, An, contain a sublayer of Cr and In, and mated with the indium columns deposited on the reading LSI chip to form an electrical and a mechanical bond.EFFECT: invention makes assembly considerably easy and increases the efficiency of manufacture using a batch cold welding method, which in turn enables to make the photodetector module in form of a hybrid assembly and mount the reading LSI chip on the photosensitive element, reduce size and increase reliability.3 dwg
Изобретение может быть использовано в различной оптико-электронной аппаратуре для обнаружения инфракрасного излучения. Фотоприемный модуль на основе PbSe согласно изобретению представляет собой гибридную микросборку, состоящую из фоточувствительного элемента, в виде линейки на основе PbSe и кристалла БИС-считывания (мультиплексора), соединенных между собой методом перевернутого монтажа (flip-chip), при этом индиевые столбики наносят на контактные площадки ламелей фоточувствительного элемента, которые помимо слоев Cr, Pd, An содержат подслой Cr и In, и стыкуют с индиевыми столбиками, нанесенными на БИС-считывания, образуя электрическую и механическую связь. Изобретение позволяет значительно снизить трудоемкость монтажа и повысить эффективность изготовления, используя метод групповой холодной сварки, что в свою очередь позволяет конструктивно выполнить фотоприемный модуль в виде гибридной сборки и расположить БИС-считывания на фоточувствительном элементе, снизить габариты и повысить надежность. 3 ил.</description><language>eng ; rus</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION ORPROCESSING OF GOODS ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC ; GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS ; SEMICONDUCTOR DEVICES ; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS ; TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINSTCLIMATE CHANGE</subject><creationdate>2014</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20140510&DB=EPODOC&CC=RU&NR=2515190C1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,780,885,25562,76317</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20140510&DB=EPODOC&CC=RU&NR=2515190C1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>KAZAROVA JULIJA ANATOL'EVNA</creatorcontrib><creatorcontrib>BOCHKOV VLADIMIR DMITRIEVICH</creatorcontrib><creatorcontrib>KONDJUSHIN IL'JA SERGEEVICH</creatorcontrib><creatorcontrib>BYCHKOVSKIJ JAROSLAV SERGEEVICH</creatorcontrib><creatorcontrib>DRAZHNIKOV BORIS NIKOLAEVICH</creatorcontrib><title>METHOD OF MAKING PHOTODETECTOR MODULE BASED ON PbSe</title><description>FIELD: physics, optics.SUBSTANCE: invention can be used in different optoelectronic equipment for detecting infrared radiation. The photodetector module based on PbSe, according to the invention, is a hybrid microassembly consisting of a photosensitive element in form of a PbSe-based line and a reading LSI chip (multiplexer), connected to each other by flip-chip method, wherein indium columns are deposited on terminals of solder pads of the photosensitive element which, besides layers of Cr, Pd, An, contain a sublayer of Cr and In, and mated with the indium columns deposited on the reading LSI chip to form an electrical and a mechanical bond.EFFECT: invention makes assembly considerably easy and increases the efficiency of manufacture using a batch cold welding method, which in turn enables to make the photodetector module in form of a hybrid assembly and mount the reading LSI chip on the photosensitive element, reduce size and increase reliability.3 dwg
Изобретение может быть использовано в различной оптико-электронной аппаратуре для обнаружения инфракрасного излучения. Фотоприемный модуль на основе PbSe согласно изобретению представляет собой гибридную микросборку, состоящую из фоточувствительного элемента, в виде линейки на основе PbSe и кристалла БИС-считывания (мультиплексора), соединенных между собой методом перевернутого монтажа (flip-chip), при этом индиевые столбики наносят на контактные площадки ламелей фоточувствительного элемента, которые помимо слоев Cr, Pd, An содержат подслой Cr и In, и стыкуют с индиевыми столбиками, нанесенными на БИС-считывания, образуя электрическую и механическую связь. Изобретение позволяет значительно снизить трудоемкость монтажа и повысить эффективность изготовления, используя метод групповой холодной сварки, что в свою очередь позволяет конструктивно выполнить фотоприемный модуль в виде гибридной сборки и расположить БИС-считывания на фоточувствительном элементе, снизить габариты и повысить надежность. 3 ил.</description><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION ORPROCESSING OF GOODS</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC</subject><subject>GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><subject>TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS</subject><subject>TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINSTCLIMATE CHANGE</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2014</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZDD2dQ3x8HdR8HdT8HX09vRzVwjw8A_xd3ENcXUO8Q9S8PV3CfVxVXByDHYFKvJTCEgKTuVhYE1LzClO5YXS3AwKbq4hzh66qQX58anFBYnJqXmpJfFBoUamhqaGlgbOhsZEKAEAVZsm1Q</recordid><startdate>20140510</startdate><enddate>20140510</enddate><creator>KAZAROVA JULIJA ANATOL'EVNA</creator><creator>BOCHKOV VLADIMIR DMITRIEVICH</creator><creator>KONDJUSHIN IL'JA SERGEEVICH</creator><creator>BYCHKOVSKIJ JAROSLAV SERGEEVICH</creator><creator>DRAZHNIKOV BORIS NIKOLAEVICH</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20140510</creationdate><title>METHOD OF MAKING PHOTODETECTOR MODULE BASED ON PbSe</title><author>KAZAROVA JULIJA ANATOL'EVNA ; BOCHKOV VLADIMIR DMITRIEVICH ; KONDJUSHIN IL'JA SERGEEVICH ; BYCHKOVSKIJ JAROSLAV SERGEEVICH ; DRAZHNIKOV BORIS NIKOLAEVICH</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_RU2515190C13</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; rus</language><creationdate>2014</creationdate><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION ORPROCESSING OF GOODS</topic><topic>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC</topic><topic>GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS</topic><topic>SEMICONDUCTOR DEVICES</topic><topic>TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS</topic><topic>TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINSTCLIMATE CHANGE</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>KAZAROVA JULIJA ANATOL'EVNA</creatorcontrib><creatorcontrib>BOCHKOV VLADIMIR DMITRIEVICH</creatorcontrib><creatorcontrib>KONDJUSHIN IL'JA SERGEEVICH</creatorcontrib><creatorcontrib>BYCHKOVSKIJ JAROSLAV SERGEEVICH</creatorcontrib><creatorcontrib>DRAZHNIKOV BORIS NIKOLAEVICH</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>KAZAROVA JULIJA ANATOL'EVNA</au><au>BOCHKOV VLADIMIR DMITRIEVICH</au><au>KONDJUSHIN IL'JA SERGEEVICH</au><au>BYCHKOVSKIJ JAROSLAV SERGEEVICH</au><au>DRAZHNIKOV BORIS NIKOLAEVICH</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>METHOD OF MAKING PHOTODETECTOR MODULE BASED ON PbSe</title><date>2014-05-10</date><risdate>2014</risdate><abstract>FIELD: physics, optics.SUBSTANCE: invention can be used in different optoelectronic equipment for detecting infrared radiation. The photodetector module based on PbSe, according to the invention, is a hybrid microassembly consisting of a photosensitive element in form of a PbSe-based line and a reading LSI chip (multiplexer), connected to each other by flip-chip method, wherein indium columns are deposited on terminals of solder pads of the photosensitive element which, besides layers of Cr, Pd, An, contain a sublayer of Cr and In, and mated with the indium columns deposited on the reading LSI chip to form an electrical and a mechanical bond.EFFECT: invention makes assembly considerably easy and increases the efficiency of manufacture using a batch cold welding method, which in turn enables to make the photodetector module in form of a hybrid assembly and mount the reading LSI chip on the photosensitive element, reduce size and increase reliability.3 dwg
Изобретение может быть использовано в различной оптико-электронной аппаратуре для обнаружения инфракрасного излучения. Фотоприемный модуль на основе PbSe согласно изобретению представляет собой гибридную микросборку, состоящую из фоточувствительного элемента, в виде линейки на основе PbSe и кристалла БИС-считывания (мультиплексора), соединенных между собой методом перевернутого монтажа (flip-chip), при этом индиевые столбики наносят на контактные площадки ламелей фоточувствительного элемента, которые помимо слоев Cr, Pd, An содержат подслой Cr и In, и стыкуют с индиевыми столбиками, нанесенными на БИС-считывания, образуя электрическую и механическую связь. Изобретение позволяет значительно снизить трудоемкость монтажа и повысить эффективность изготовления, используя метод групповой холодной сварки, что в свою очередь позволяет конструктивно выполнить фотоприемный модуль в виде гибридной сборки и расположить БИС-считывания на фоточувствительном элементе, снизить габариты и повысить надежность. 3 ил.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
fulltext | fulltext_linktorsrc |
identifier | |
ispartof | |
issn | |
language | eng ; rus |
recordid | cdi_epo_espacenet_RU2515190C1 |
source | esp@cenet |
subjects | BASIC ELECTRIC ELEMENTS CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION ORPROCESSING OF GOODS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS SEMICONDUCTOR DEVICES TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINSTCLIMATE CHANGE |
title | METHOD OF MAKING PHOTODETECTOR MODULE BASED ON PbSe |
url | https://sfx.bib-bvb.de/sfx_tum?ctx_ver=Z39.88-2004&ctx_enc=info:ofi/enc:UTF-8&ctx_tim=2025-01-09T19%3A23%3A39IST&url_ver=Z39.88-2004&url_ctx_fmt=infofi/fmt:kev:mtx:ctx&rfr_id=info:sid/primo.exlibrisgroup.com:primo3-Article-epo_EVB&rft_val_fmt=info:ofi/fmt:kev:mtx:patent&rft.genre=patent&rft.au=KAZAROVA%20JULIJA%20ANATOL'EVNA&rft.date=2014-05-10&rft_id=info:doi/&rft_dat=%3Cepo_EVB%3ERU2515190C1%3C/epo_EVB%3E%3Curl%3E%3C/url%3E&disable_directlink=true&sfx.directlink=off&sfx.report_link=0&rft_id=info:oai/&rft_id=info:pmid/&rfr_iscdi=true |