METHOD OF MAKING PHOTODETECTOR MODULE BASED ON PbSe

FIELD: physics, optics.SUBSTANCE: invention can be used in different optoelectronic equipment for detecting infrared radiation. The photodetector module based on PbSe, according to the invention, is a hybrid microassembly consisting of a photosensitive element in form of a PbSe-based line and a read...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: KAZAROVA JULIJA ANATOL'EVNA, BOCHKOV VLADIMIR DMITRIEVICH, KONDJUSHIN IL'JA SERGEEVICH, BYCHKOVSKIJ JAROSLAV SERGEEVICH, DRAZHNIKOV BORIS NIKOLAEVICH
Format: Patent
Sprache:eng ; rus
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext bestellen
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Beschreibung
Zusammenfassung:FIELD: physics, optics.SUBSTANCE: invention can be used in different optoelectronic equipment for detecting infrared radiation. The photodetector module based on PbSe, according to the invention, is a hybrid microassembly consisting of a photosensitive element in form of a PbSe-based line and a reading LSI chip (multiplexer), connected to each other by flip-chip method, wherein indium columns are deposited on terminals of solder pads of the photosensitive element which, besides layers of Cr, Pd, An, contain a sublayer of Cr and In, and mated with the indium columns deposited on the reading LSI chip to form an electrical and a mechanical bond.EFFECT: invention makes assembly considerably easy and increases the efficiency of manufacture using a batch cold welding method, which in turn enables to make the photodetector module in form of a hybrid assembly and mount the reading LSI chip on the photosensitive element, reduce size and increase reliability.3 dwg Изобретение может быть использовано в различной оптико-электронной аппаратуре для обнаружения инфракрасного излучения. Фотоприемный модуль на основе PbSe согласно изобретению представляет собой гибридную микросборку, состоящую из фоточувствительного элемента, в виде линейки на основе PbSe и кристалла БИС-считывания (мультиплексора), соединенных между собой методом перевернутого монтажа (flip-chip), при этом индиевые столбики наносят на контактные площадки ламелей фоточувствительного элемента, которые помимо слоев Cr, Pd, An содержат подслой Cr и In, и стыкуют с индиевыми столбиками, нанесенными на БИС-считывания, образуя электрическую и механическую связь. Изобретение позволяет значительно снизить трудоемкость монтажа и повысить эффективность изготовления, используя метод групповой холодной сварки, что в свою очередь позволяет конструктивно выполнить фотоприемный модуль в виде гибридной сборки и расположить БИС-считывания на фоточувствительном элементе, снизить габариты и повысить надежность. 3 ил.