METHOD OF MAKING SOLID-STATE PHTHALOCYANINE-BASED PHOTOCELL FOR CONVERTING LIGHT ENERGY TO ELECTRICAL ENERGY
FIELD: physics.SUBSTANCE: invention relates to technologies of making devices, having photocells, used as light energy converters. According to the invention, the method of making a solid-state phthalocyanine-based photocell for converting light energy to electrical energy involves depositing an org...
Gespeichert in:
Hauptverfasser: | , , , |
---|---|
Format: | Patent |
Sprache: | eng ; rus |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext bestellen |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Zusammenfassung: | FIELD: physics.SUBSTANCE: invention relates to technologies of making devices, having photocells, used as light energy converters. According to the invention, the method of making a solid-state phthalocyanine-based photocell for converting light energy to electrical energy involves depositing an organic polymer with semiconductor properties onto a substrate of n-type inorganic semiconductor and placing between two electrodes, wherein the organic polymer used is copper anthracyanine (p-CuAc) or zinc anthracyanine (p-ZnAc), which is deposited in a vacuum in a layer with thickness of 15-20 nm on a gallium arsenide (nGaAs) substrate.EFFECT: high efficiency of converting light energy to electrical energy, 2% increase in efficiency compared to existing countertypes.3 dwg, 2 tbl
Изобретение относится к технологиям изготовления приборов, содержащих фотоэлементы, используемые в качестве преобразователей световой энергии. Согласно изобретению способ изготовления твердотельного фотоэлемента на основе фталоцианинов для преобразования световой энергии в электрическую включает нанесение на подложку из неорганического полупроводника n-типа органического полимера с полупроводниковыми свойствами и размещение их между двумя электродами, при этом в качестве органического полимера используют антрацианин меди (р-CuAc) или антрацианин цинка (p-ZnAc), который наносят в вакууме слоем толщиной 15-20 нм на подложку из арсенида галлия (nGaAs). Преобразование световой энергии в электрическую в способе согласно изобретению проходит с большей эффективностью: КПД возрастает на 2% по сравнению с известными аналогами. 3 ил., 2 табл. |
---|