OPTICAL MEASUREMENT SYSTEM AND METHOD TO MEASURE CRITICAL SIZE

FIELD: measurement equipment.SUBSTANCE: invention relates to measurement equipment and may be used for measurement of geometric parameters of nanoobjects. The optical measurement system comprises a module to vary and monitor parameters of the optical circuit and lighting conditions; a lighting module; a module to build an optical image; a defocusing module; a module to register a row of images with different extent of focusing; a module to calculate a row of images with different extent of defocusing; a module to compare recorded defocused images with calculated images; a module of user interface. The method consists in the fact that a row of nanostructure images is recorded, which correspond to various wave lengths of scattered radiation with different extent of defocusing; several rows of nanostructure images are calculated with the critical size value that is within the available specified limits; a row of measured nanostructure images is compared to the appropriate rows of calculated images, and the best approximation of the critical size value is determined.EFFECT: measurement of nanostructure critical size based on processing of defocused images without mechanical scanning of investigated nanostructure along focus.29 cl, 11 dwg Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для измерения геометрических параметров нанообъектов. Оптическая измерительная система содержит модуль изменения и контроля параметров оптической схемы и условий освещения; модуль освещения; модуль построения оптического изображения; модуль дефокусирования; модуль регистрации ряда изображений с различной степенью дефокусирования; модуль расчета ряда изображений с различной степенью дефокусирования; модуль сравнения зарегистрированных дефокусированных изображений с рассчитанными изображениями; модуль пользовательского интерфейса. Способ заключается в том, что регистрируют ряд изображений наноструктуры, соответствующих различным длинам волн рассеянного излучения с различной степенью дефокусировки; рассчитывают несколько рядов изображений наноструктуры при значении критического размера, находящемся в известных заданных границах; сравнивают ряд измеренных изображений наноструктуры с соответствующими рядами рассчитанных изображений и определяют наилучшее приближение значения критического размера. Технический результат - обеспечить измерение критического размера наноструктуры на основе обработки дефокусированных изображений без механического сканирования исследу