MONOCRYSTALLINE WELDING OF MATERIALS HARDENED IN ONE DIRECTION
FIELD: process engineering.SUBSTANCE: invention relates to laser buildup of hardened weld seam on structural element substrate from refractory alloy with directed orientated of dendrites. Powder is fed and laser beam is directed on substrate surface to smelt fed powder and substrate surface layer to...
Gespeichert in:
Hauptverfasser: | , , , , , , , , , , |
---|---|
Format: | Patent |
Sprache: | eng ; rus |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext bestellen |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Zusammenfassung: | FIELD: process engineering.SUBSTANCE: invention relates to laser buildup of hardened weld seam on structural element substrate from refractory alloy with directed orientated of dendrites. Powder is fed and laser beam is directed on substrate surface to smelt fed powder and substrate surface layer to obtain dendrites 31 in surface layer oriented in direction of substrate dendrites 32. Parameters of laser buildup are as follows: beam scanning rate, laser power, beam diameter, powder stream focus and/or powder flow rate are set to ensure local orientation of temperature gradient 28 at crystallisation front 19 smaller than 45° towards substrate dendrite direction 32 for dendrite 31 in substrate 4. Beam scanning rate is set equal to 30-100 mm/min, preferably 50 mm/min and/or laser power is set equal to 200-500 W, preferably 300 W, and/or beam diameter at substrate surface is set equal to 3-6 mm, and/or powder flow rate is set to 300 mg/min to 600 mg/min, preferably 400 mg/min.EFFECT: single direction of dendrite growth, complete melting of powder in the melt.7 cl, 4 dwg
Изобретение относится к способу лазерной наплавки упрочненного сварного шва на подложку конструктивного элемента из жаропрочного сплава с направленной ориентацией дендритов. Осуществляют подачу порошка и лазерного луча на наплавляемую поверхность подложки с расплавлением подаваемого порошка и поверхностного слоя подложки и получают в процессе наплавки в поверхностном слое дендриты (31), которые ориентированы в направлении (32) дендритов подложки. Параметры лазерной наплавки: скорость сканирования луча, лазерную мощность, диаметр луча, фокус порошкового пучка и/или расход порошка устанавливают из условия обеспечения локальной ориентации температурного градиента (28) на фронте (19) кристаллизации, который меньше чем 45° к направлению (32) дендритов подложки для дендритов (3 1) в подложке (4). Скорость сканирования луча устанавливают от 30 мм/мин до 100 мм/мин, предпочтительно 50 мм/мин и/или лазерную мощность устанавливают от 200 Вт до 500 Вт, предпочтительно 300 Вт, и/или диаметр лазерного луча на поверхности подложки устанавливают от 3 мм до 6 мм, предпочтительно 4 мм, и/или скорость подачи порошка устанавливают от 300 мг/мин до 600 мг/мин, предпочтительно 400 мг/мин. В результате обеспечивается одно направление роста дендритов и полное расплавление частиц порошка в расплаве. 6 з.п. ф-лы, 4 ил. |
---|