METHOD OF FORMING MONOCRYSTALLINE FILMS OF SOLID BISMUTH-ANTIMONY SOLUTION ON SUBSTRATES
FIELD: chemistry.SUBSTANCE: monocrystalline films of a solid bismuth-antimony solution are obtained using zonal recrystallisation of vacuum sputtered, uniform-composition polycrystalline films of a solid bismuth-antimony solution under a protective coating, the melting point of which is higher than...
Gespeichert in:
| Hauptverfasser: | , , , |
|---|---|
| Format: | Patent |
| Sprache: | eng ; rus |
| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | Volltext bestellen |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| container_end_page | |
|---|---|
| container_issue | |
| container_start_page | |
| container_title | |
| container_volume | |
| creator | DEMIDOV EVGENIJ VLADIMIROVICH KOMAROV VLADIMIR ALEKSEEVICH KABLUKOVA NATAL'JA SERGEEVNA GRABOV VLADIMIR MINOVICH |
| description | FIELD: chemistry.SUBSTANCE: monocrystalline films of a solid bismuth-antimony solution are obtained using zonal recrystallisation of vacuum sputtered, uniform-composition polycrystalline films of a solid bismuth-antimony solution under a protective coating, the melting point of which is higher than that of the obtained film, at a higher rate of zone movement than when growing bulk monocrystals (for films of solid bismuth-antimony solutions higher than 1 cm/h versus 0.05 mm/h for bulk crystals).EFFECT: invention enables to obtain monocrystalline films of a solid bismuth-antimony solution with uniform volume distribution of components.
Изобретение относится к материаловедению и может быть использовано в физике конденсированного состояния, приборостроении, микроэлектронике, термоэлектричестве для получения тонкопленочных образцов твердого раствора висмут-сурьма с совершенной монокристаллической структурой. Сущность изобретения заключается в том, что для получения монокристаллических пленок твердого раствора висмут-сурьма используют зонную перекристаллизацию сформированных путем напыления в вакууме однородных по составу поликристаллических пленок твердого раствора висмут-сурьма под защитным покрытием, температура плавления которого больше температуры плавления получаемой пленки, при большей скорости движения зоны, чем при выращивании объемных монокристаллов (для пленок твердых растворов висмут-сурьма более 1 см/ч против 0,05 мм/ч для объемных кристаллов). Изобретение обеспечивает получение монокристаллических пленок твердого раствора висмут-сурьма с равномерным распределением компонентов по объему. |
| format | Patent |
| fullrecord | <record><control><sourceid>epo_EVB</sourceid><recordid>TN_cdi_epo_espacenet_RU2507317C1</recordid><sourceformat>XML</sourceformat><sourcesystem>PC</sourcesystem><sourcerecordid>RU2507317C1</sourcerecordid><originalsourceid>FETCH-epo_espacenet_RU2507317C13</originalsourceid><addsrcrecordid>eNrjZIjwdQ3x8HdR8HdTcPMP8vX0c1fw9ffzdw6KDA5x9PHx9HNVcPP08Q0GKQj29_F0UXDyDPYNDfHQdfQL8QQqjQQJh4Z4-vspAFFwqFNwSJBjiGswDwNrWmJOcSovlOZmUHBzDXH20E0tyI9PLS5ITE7NSy2JDwo1MjUwNzY0dzY0JkIJANsFMZk</addsrcrecordid><sourcetype>Open Access Repository</sourcetype><iscdi>true</iscdi><recordtype>patent</recordtype></control><display><type>patent</type><title>METHOD OF FORMING MONOCRYSTALLINE FILMS OF SOLID BISMUTH-ANTIMONY SOLUTION ON SUBSTRATES</title><source>esp@cenet</source><creator>DEMIDOV EVGENIJ VLADIMIROVICH ; KOMAROV VLADIMIR ALEKSEEVICH ; KABLUKOVA NATAL'JA SERGEEVNA ; GRABOV VLADIMIR MINOVICH</creator><creatorcontrib>DEMIDOV EVGENIJ VLADIMIROVICH ; KOMAROV VLADIMIR ALEKSEEVICH ; KABLUKOVA NATAL'JA SERGEEVNA ; GRABOV VLADIMIR MINOVICH</creatorcontrib><description>FIELD: chemistry.SUBSTANCE: monocrystalline films of a solid bismuth-antimony solution are obtained using zonal recrystallisation of vacuum sputtered, uniform-composition polycrystalline films of a solid bismuth-antimony solution under a protective coating, the melting point of which is higher than that of the obtained film, at a higher rate of zone movement than when growing bulk monocrystals (for films of solid bismuth-antimony solutions higher than 1 cm/h versus 0.05 mm/h for bulk crystals).EFFECT: invention enables to obtain monocrystalline films of a solid bismuth-antimony solution with uniform volume distribution of components.
Изобретение относится к материаловедению и может быть использовано в физике конденсированного состояния, приборостроении, микроэлектронике, термоэлектричестве для получения тонкопленочных образцов твердого раствора висмут-сурьма с совершенной монокристаллической структурой. Сущность изобретения заключается в том, что для получения монокристаллических пленок твердого раствора висмут-сурьма используют зонную перекристаллизацию сформированных путем напыления в вакууме однородных по составу поликристаллических пленок твердого раствора висмут-сурьма под защитным покрытием, температура плавления которого больше температуры плавления получаемой пленки, при большей скорости движения зоны, чем при выращивании объемных монокристаллов (для пленок твердых растворов висмут-сурьма более 1 см/ч против 0,05 мм/ч для объемных кристаллов). Изобретение обеспечивает получение монокристаллических пленок твердого раствора висмут-сурьма с равномерным распределением компонентов по объему.</description><language>eng ; rus</language><subject>AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE ; APPARATUS THEREFOR ; CHEMISTRY ; CRYSTAL GROWTH ; ELECTRICITY ; METALLURGY ; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE ; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL ; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE ; SINGLE-CRYSTAL-GROWTH ; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL</subject><creationdate>2014</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20140220&DB=EPODOC&CC=RU&NR=2507317C1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,776,881,25542,76289</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20140220&DB=EPODOC&CC=RU&NR=2507317C1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>DEMIDOV EVGENIJ VLADIMIROVICH</creatorcontrib><creatorcontrib>KOMAROV VLADIMIR ALEKSEEVICH</creatorcontrib><creatorcontrib>KABLUKOVA NATAL'JA SERGEEVNA</creatorcontrib><creatorcontrib>GRABOV VLADIMIR MINOVICH</creatorcontrib><title>METHOD OF FORMING MONOCRYSTALLINE FILMS OF SOLID BISMUTH-ANTIMONY SOLUTION ON SUBSTRATES</title><description>FIELD: chemistry.SUBSTANCE: monocrystalline films of a solid bismuth-antimony solution are obtained using zonal recrystallisation of vacuum sputtered, uniform-composition polycrystalline films of a solid bismuth-antimony solution under a protective coating, the melting point of which is higher than that of the obtained film, at a higher rate of zone movement than when growing bulk monocrystals (for films of solid bismuth-antimony solutions higher than 1 cm/h versus 0.05 mm/h for bulk crystals).EFFECT: invention enables to obtain monocrystalline films of a solid bismuth-antimony solution with uniform volume distribution of components.
Изобретение относится к материаловедению и может быть использовано в физике конденсированного состояния, приборостроении, микроэлектронике, термоэлектричестве для получения тонкопленочных образцов твердого раствора висмут-сурьма с совершенной монокристаллической структурой. Сущность изобретения заключается в том, что для получения монокристаллических пленок твердого раствора висмут-сурьма используют зонную перекристаллизацию сформированных путем напыления в вакууме однородных по составу поликристаллических пленок твердого раствора висмут-сурьма под защитным покрытием, температура плавления которого больше температуры плавления получаемой пленки, при большей скорости движения зоны, чем при выращивании объемных монокристаллов (для пленок твердых растворов висмут-сурьма более 1 см/ч против 0,05 мм/ч для объемных кристаллов). Изобретение обеспечивает получение монокристаллических пленок твердого раствора висмут-сурьма с равномерным распределением компонентов по объему.</description><subject>AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE</subject><subject>APPARATUS THEREFOR</subject><subject>CHEMISTRY</subject><subject>CRYSTAL GROWTH</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>METALLURGY</subject><subject>PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE</subject><subject>REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL</subject><subject>SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE</subject><subject>SINGLE-CRYSTAL-GROWTH</subject><subject>UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2014</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZIjwdQ3x8HdR8HdTcPMP8vX0c1fw9ffzdw6KDA5x9PHx9HNVcPP08Q0GKQj29_F0UXDyDPYNDfHQdfQL8QQqjQQJh4Z4-vspAFFwqFNwSJBjiGswDwNrWmJOcSovlOZmUHBzDXH20E0tyI9PLS5ITE7NSy2JDwo1MjUwNzY0dzY0JkIJANsFMZk</recordid><startdate>20140220</startdate><enddate>20140220</enddate><creator>DEMIDOV EVGENIJ VLADIMIROVICH</creator><creator>KOMAROV VLADIMIR ALEKSEEVICH</creator><creator>KABLUKOVA NATAL'JA SERGEEVNA</creator><creator>GRABOV VLADIMIR MINOVICH</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20140220</creationdate><title>METHOD OF FORMING MONOCRYSTALLINE FILMS OF SOLID BISMUTH-ANTIMONY SOLUTION ON SUBSTRATES</title><author>DEMIDOV EVGENIJ VLADIMIROVICH ; KOMAROV VLADIMIR ALEKSEEVICH ; KABLUKOVA NATAL'JA SERGEEVNA ; GRABOV VLADIMIR MINOVICH</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_RU2507317C13</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; rus</language><creationdate>2014</creationdate><topic>AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE</topic><topic>APPARATUS THEREFOR</topic><topic>CHEMISTRY</topic><topic>CRYSTAL GROWTH</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>METALLURGY</topic><topic>PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE</topic><topic>REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL</topic><topic>SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE</topic><topic>SINGLE-CRYSTAL-GROWTH</topic><topic>UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>DEMIDOV EVGENIJ VLADIMIROVICH</creatorcontrib><creatorcontrib>KOMAROV VLADIMIR ALEKSEEVICH</creatorcontrib><creatorcontrib>KABLUKOVA NATAL'JA SERGEEVNA</creatorcontrib><creatorcontrib>GRABOV VLADIMIR MINOVICH</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>DEMIDOV EVGENIJ VLADIMIROVICH</au><au>KOMAROV VLADIMIR ALEKSEEVICH</au><au>KABLUKOVA NATAL'JA SERGEEVNA</au><au>GRABOV VLADIMIR MINOVICH</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>METHOD OF FORMING MONOCRYSTALLINE FILMS OF SOLID BISMUTH-ANTIMONY SOLUTION ON SUBSTRATES</title><date>2014-02-20</date><risdate>2014</risdate><abstract>FIELD: chemistry.SUBSTANCE: monocrystalline films of a solid bismuth-antimony solution are obtained using zonal recrystallisation of vacuum sputtered, uniform-composition polycrystalline films of a solid bismuth-antimony solution under a protective coating, the melting point of which is higher than that of the obtained film, at a higher rate of zone movement than when growing bulk monocrystals (for films of solid bismuth-antimony solutions higher than 1 cm/h versus 0.05 mm/h for bulk crystals).EFFECT: invention enables to obtain monocrystalline films of a solid bismuth-antimony solution with uniform volume distribution of components.
Изобретение относится к материаловедению и может быть использовано в физике конденсированного состояния, приборостроении, микроэлектронике, термоэлектричестве для получения тонкопленочных образцов твердого раствора висмут-сурьма с совершенной монокристаллической структурой. Сущность изобретения заключается в том, что для получения монокристаллических пленок твердого раствора висмут-сурьма используют зонную перекристаллизацию сформированных путем напыления в вакууме однородных по составу поликристаллических пленок твердого раствора висмут-сурьма под защитным покрытием, температура плавления которого больше температуры плавления получаемой пленки, при большей скорости движения зоны, чем при выращивании объемных монокристаллов (для пленок твердых растворов висмут-сурьма более 1 см/ч против 0,05 мм/ч для объемных кристаллов). Изобретение обеспечивает получение монокристаллических пленок твердого раствора висмут-сурьма с равномерным распределением компонентов по объему.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
| fulltext | fulltext_linktorsrc |
| identifier | |
| ispartof | |
| issn | |
| language | eng ; rus |
| recordid | cdi_epo_espacenet_RU2507317C1 |
| source | esp@cenet |
| subjects | AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE APPARATUS THEREFOR CHEMISTRY CRYSTAL GROWTH ELECTRICITY METALLURGY PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE SINGLE-CRYSTAL-GROWTH UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL |
| title | METHOD OF FORMING MONOCRYSTALLINE FILMS OF SOLID BISMUTH-ANTIMONY SOLUTION ON SUBSTRATES |
| url | https://sfx.bib-bvb.de/sfx_tum?ctx_ver=Z39.88-2004&ctx_enc=info:ofi/enc:UTF-8&ctx_tim=2025-02-09T11%3A57%3A52IST&url_ver=Z39.88-2004&url_ctx_fmt=infofi/fmt:kev:mtx:ctx&rfr_id=info:sid/primo.exlibrisgroup.com:primo3-Article-epo_EVB&rft_val_fmt=info:ofi/fmt:kev:mtx:patent&rft.genre=patent&rft.au=DEMIDOV%20EVGENIJ%20VLADIMIROVICH&rft.date=2014-02-20&rft_id=info:doi/&rft_dat=%3Cepo_EVB%3ERU2507317C1%3C/epo_EVB%3E%3Curl%3E%3C/url%3E&disable_directlink=true&sfx.directlink=off&sfx.report_link=0&rft_id=info:oai/&rft_id=info:pmid/&rfr_iscdi=true |