METHOD OF FORMING MONOCRYSTALLINE FILMS OF SOLID BISMUTH-ANTIMONY SOLUTION ON SUBSTRATES

FIELD: chemistry.SUBSTANCE: monocrystalline films of a solid bismuth-antimony solution are obtained using zonal recrystallisation of vacuum sputtered, uniform-composition polycrystalline films of a solid bismuth-antimony solution under a protective coating, the melting point of which is higher than that of the obtained film, at a higher rate of zone movement than when growing bulk monocrystals (for films of solid bismuth-antimony solutions higher than 1 cm/h versus 0.05 mm/h for bulk crystals).EFFECT: invention enables to obtain monocrystalline films of a solid bismuth-antimony solution with uniform volume distribution of components. Изобретение относится к материаловедению и может быть использовано в физике конденсированного состояния, приборостроении, микроэлектронике, термоэлектричестве для получения тонкопленочных образцов твердого раствора висмут-сурьма с совершенной монокристаллической структурой. Сущность изобретения заключается в том, что для получения монокристаллических пленок твердого раствора висмут-сурьма используют зонную перекристаллизацию сформированных путем напыления в вакууме однородных по составу поликристаллических пленок твердого раствора висмут-сурьма под защитным покрытием, температура плавления которого больше температуры плавления получаемой пленки, при большей скорости движения зоны, чем при выращивании объемных монокристаллов (для пленок твердых растворов висмут-сурьма более 1 см/ч против 0,05 мм/ч для объемных кристаллов). Изобретение обеспечивает получение монокристаллических пленок твердого раствора висмут-сурьма с равномерным распределением компонентов по объему.