METHOD TO MANUFACTURE VACUUM SENSOR WITH NANOSTRUCTURE HIGHER SENSITIVITY AND VACUUM SENSOR ON ITS BASIS
FIELD: measurement equipment.SUBSTANCE: invention relates to measuring technique. A method of manufacturing a vacuum sensor with nanostructure hypersensitivity is that the heterostructure formed of different materials, in which a semiconductor thin film resistor is formed, whereupon it is fixed in t...
Gespeichert in:
| Hauptverfasser: | , , , , |
|---|---|
| Format: | Patent |
| Sprache: | eng ; rus |
| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | Volltext bestellen |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| container_end_page | |
|---|---|
| container_issue | |
| container_start_page | |
| container_title | |
| container_volume | |
| creator | PECHERSKAJA RIMMA MIKHAJLOVNA PRONIN IGOR' ALEKSANDROVICH AVERIN IGOR' ALEKSANDROVICH VASIL'EV VALERIJ ANATOL'EVICH KARMANOV ANDREJ ANDREEVICH |
| description | FIELD: measurement equipment.SUBSTANCE: invention relates to measuring technique. A method of manufacturing a vacuum sensor with nanostructure hypersensitivity is that the heterostructure formed of different materials, in which a semiconductor thin film resistor is formed, whereupon it is fixed in the sensor housing, and contact pads connected to the housing by means of pin contacts of the conductors. A semiconductor thin film resistor is formed as a mesh nanostructure (SiO)20% (SnO)80% by applying the orthosilicic acid sol comprising tin hydroxide on a silicon substrate using a centrifuge and subsequent annealing, which is prepared in two stages, at the first stage they mix tetraethoxysilane and ethyl alcohol, and then in the second step the resultant solution is introduced into distilled water, hydrochloric acid and stannous chloride dihydrate (SnCl· 2HO) in certain ratios.EFFECT: invention provides for increased sensitivity of a vacuum sensor.2 cl, 4 dwg
Изобретение относится к измерительной технике. Способ изготовления датчика вакуума с наноструктурой повышенной чувствительности заключается в том, что образуют гетероструктуру из различных материалов, в которой формируют тонкопленочный полупроводниковый резистор, после чего ее закрепляют в корпусе датчика, а контактные площадки соединяют с выводами корпуса при помощи контактных проводников. Тонкопленочный полупроводниковый резистор формируют в виде сетчатой наноструктуры (SiO)(SnO)путем нанесения золя ортокремниевой кислоты, содержащего гидроксид олова, на подложку из кремния с помощью центрифуги и последующим отжигом, который приготавливают в два этапа, на первом этапе смешивают тетраэтоксисилан и этиловый спирт, затем на втором этапе в полученный раствор вводят дистиллированную воду, соляную кислоту и двухводный хлорид олова (SnCl·2HO) в определенных соотношениях. Изобретение обеспечивает повышение чувствительности датчика вакуума. 2 н.п. ф-лы, 4 ил. |
| format | Patent |
| fullrecord | <record><control><sourceid>epo_EVB</sourceid><recordid>TN_cdi_epo_espacenet_RU2506659C2</recordid><sourceformat>XML</sourceformat><sourcesystem>PC</sourcesystem><sourcerecordid>RU2506659C2</sourcerecordid><originalsourceid>FETCH-epo_espacenet_RU2506659C23</originalsourceid><addsrcrecordid>eNqNy7EKwjAQgOEuDqK-w72AIJUWHM80NTckgdxdxakUiTiIFur7I6iTk9O_fP-8uHorLjYgETwGbdGIJgsdGlUPbAPHBEcSBwFDZEn6AY4OzqY3IKGO5AQYmp8vBiBh2CMTL4vZZbhNefXtooDWinHrPD76PI3DOd_zs09aVpu6rnam3P5BXhbRNgU</addsrcrecordid><sourcetype>Open Access Repository</sourcetype><iscdi>true</iscdi><recordtype>patent</recordtype></control><display><type>patent</type><title>METHOD TO MANUFACTURE VACUUM SENSOR WITH NANOSTRUCTURE HIGHER SENSITIVITY AND VACUUM SENSOR ON ITS BASIS</title><source>esp@cenet</source><creator>PECHERSKAJA RIMMA MIKHAJLOVNA ; PRONIN IGOR' ALEKSANDROVICH ; AVERIN IGOR' ALEKSANDROVICH ; VASIL'EV VALERIJ ANATOL'EVICH ; KARMANOV ANDREJ ANDREEVICH</creator><creatorcontrib>PECHERSKAJA RIMMA MIKHAJLOVNA ; PRONIN IGOR' ALEKSANDROVICH ; AVERIN IGOR' ALEKSANDROVICH ; VASIL'EV VALERIJ ANATOL'EVICH ; KARMANOV ANDREJ ANDREEVICH</creatorcontrib><description>FIELD: measurement equipment.SUBSTANCE: invention relates to measuring technique. A method of manufacturing a vacuum sensor with nanostructure hypersensitivity is that the heterostructure formed of different materials, in which a semiconductor thin film resistor is formed, whereupon it is fixed in the sensor housing, and contact pads connected to the housing by means of pin contacts of the conductors. A semiconductor thin film resistor is formed as a mesh nanostructure (SiO)20% (SnO)80% by applying the orthosilicic acid sol comprising tin hydroxide on a silicon substrate using a centrifuge and subsequent annealing, which is prepared in two stages, at the first stage they mix tetraethoxysilane and ethyl alcohol, and then in the second step the resultant solution is introduced into distilled water, hydrochloric acid and stannous chloride dihydrate (SnCl· 2HO) in certain ratios.EFFECT: invention provides for increased sensitivity of a vacuum sensor.2 cl, 4 dwg
Изобретение относится к измерительной технике. Способ изготовления датчика вакуума с наноструктурой повышенной чувствительности заключается в том, что образуют гетероструктуру из различных материалов, в которой формируют тонкопленочный полупроводниковый резистор, после чего ее закрепляют в корпусе датчика, а контактные площадки соединяют с выводами корпуса при помощи контактных проводников. Тонкопленочный полупроводниковый резистор формируют в виде сетчатой наноструктуры (SiO)(SnO)путем нанесения золя ортокремниевой кислоты, содержащего гидроксид олова, на подложку из кремния с помощью центрифуги и последующим отжигом, который приготавливают в два этапа, на первом этапе смешивают тетраэтоксисилан и этиловый спирт, затем на втором этапе в полученный раствор вводят дистиллированную воду, соляную кислоту и двухводный хлорид олова (SnCl·2HO) в определенных соотношениях. Изобретение обеспечивает повышение чувствительности датчика вакуума. 2 н.п. ф-лы, 4 ил.</description><language>eng ; rus</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF ; MEASURING ; MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER,MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE ; NANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS,MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES ASDISCRETE UNITS ; NANOTECHNOLOGY ; PERFORMING OPERATIONS ; PHYSICS ; SEMICONDUCTOR DEVICES ; TESTING ; TRANSPORTING</subject><creationdate>2014</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20140210&DB=EPODOC&CC=RU&NR=2506659C2$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,776,881,25542,76290</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20140210&DB=EPODOC&CC=RU&NR=2506659C2$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>PECHERSKAJA RIMMA MIKHAJLOVNA</creatorcontrib><creatorcontrib>PRONIN IGOR' ALEKSANDROVICH</creatorcontrib><creatorcontrib>AVERIN IGOR' ALEKSANDROVICH</creatorcontrib><creatorcontrib>VASIL'EV VALERIJ ANATOL'EVICH</creatorcontrib><creatorcontrib>KARMANOV ANDREJ ANDREEVICH</creatorcontrib><title>METHOD TO MANUFACTURE VACUUM SENSOR WITH NANOSTRUCTURE HIGHER SENSITIVITY AND VACUUM SENSOR ON ITS BASIS</title><description>FIELD: measurement equipment.SUBSTANCE: invention relates to measuring technique. A method of manufacturing a vacuum sensor with nanostructure hypersensitivity is that the heterostructure formed of different materials, in which a semiconductor thin film resistor is formed, whereupon it is fixed in the sensor housing, and contact pads connected to the housing by means of pin contacts of the conductors. A semiconductor thin film resistor is formed as a mesh nanostructure (SiO)20% (SnO)80% by applying the orthosilicic acid sol comprising tin hydroxide on a silicon substrate using a centrifuge and subsequent annealing, which is prepared in two stages, at the first stage they mix tetraethoxysilane and ethyl alcohol, and then in the second step the resultant solution is introduced into distilled water, hydrochloric acid and stannous chloride dihydrate (SnCl· 2HO) in certain ratios.EFFECT: invention provides for increased sensitivity of a vacuum sensor.2 cl, 4 dwg
Изобретение относится к измерительной технике. Способ изготовления датчика вакуума с наноструктурой повышенной чувствительности заключается в том, что образуют гетероструктуру из различных материалов, в которой формируют тонкопленочный полупроводниковый резистор, после чего ее закрепляют в корпусе датчика, а контактные площадки соединяют с выводами корпуса при помощи контактных проводников. Тонкопленочный полупроводниковый резистор формируют в виде сетчатой наноструктуры (SiO)(SnO)путем нанесения золя ортокремниевой кислоты, содержащего гидроксид олова, на подложку из кремния с помощью центрифуги и последующим отжигом, который приготавливают в два этапа, на первом этапе смешивают тетраэтоксисилан и этиловый спирт, затем на втором этапе в полученный раствор вводят дистиллированную воду, соляную кислоту и двухводный хлорид олова (SnCl·2HO) в определенных соотношениях. Изобретение обеспечивает повышение чувствительности датчика вакуума. 2 н.п. ф-лы, 4 ил.</description><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF</subject><subject>MEASURING</subject><subject>MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER,MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE</subject><subject>NANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS,MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES ASDISCRETE UNITS</subject><subject>NANOTECHNOLOGY</subject><subject>PERFORMING OPERATIONS</subject><subject>PHYSICS</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><subject>TESTING</subject><subject>TRANSPORTING</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2014</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNqNy7EKwjAQgOEuDqK-w72AIJUWHM80NTckgdxdxakUiTiIFur7I6iTk9O_fP-8uHorLjYgETwGbdGIJgsdGlUPbAPHBEcSBwFDZEn6AY4OzqY3IKGO5AQYmp8vBiBh2CMTL4vZZbhNefXtooDWinHrPD76PI3DOd_zs09aVpu6rnam3P5BXhbRNgU</recordid><startdate>20140210</startdate><enddate>20140210</enddate><creator>PECHERSKAJA RIMMA MIKHAJLOVNA</creator><creator>PRONIN IGOR' ALEKSANDROVICH</creator><creator>AVERIN IGOR' ALEKSANDROVICH</creator><creator>VASIL'EV VALERIJ ANATOL'EVICH</creator><creator>KARMANOV ANDREJ ANDREEVICH</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20140210</creationdate><title>METHOD TO MANUFACTURE VACUUM SENSOR WITH NANOSTRUCTURE HIGHER SENSITIVITY AND VACUUM SENSOR ON ITS BASIS</title><author>PECHERSKAJA RIMMA MIKHAJLOVNA ; PRONIN IGOR' ALEKSANDROVICH ; AVERIN IGOR' ALEKSANDROVICH ; VASIL'EV VALERIJ ANATOL'EVICH ; KARMANOV ANDREJ ANDREEVICH</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_RU2506659C23</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; rus</language><creationdate>2014</creationdate><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF</topic><topic>MEASURING</topic><topic>MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER,MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE</topic><topic>NANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS,MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES ASDISCRETE UNITS</topic><topic>NANOTECHNOLOGY</topic><topic>PERFORMING OPERATIONS</topic><topic>PHYSICS</topic><topic>SEMICONDUCTOR DEVICES</topic><topic>TESTING</topic><topic>TRANSPORTING</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>PECHERSKAJA RIMMA MIKHAJLOVNA</creatorcontrib><creatorcontrib>PRONIN IGOR' ALEKSANDROVICH</creatorcontrib><creatorcontrib>AVERIN IGOR' ALEKSANDROVICH</creatorcontrib><creatorcontrib>VASIL'EV VALERIJ ANATOL'EVICH</creatorcontrib><creatorcontrib>KARMANOV ANDREJ ANDREEVICH</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>PECHERSKAJA RIMMA MIKHAJLOVNA</au><au>PRONIN IGOR' ALEKSANDROVICH</au><au>AVERIN IGOR' ALEKSANDROVICH</au><au>VASIL'EV VALERIJ ANATOL'EVICH</au><au>KARMANOV ANDREJ ANDREEVICH</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>METHOD TO MANUFACTURE VACUUM SENSOR WITH NANOSTRUCTURE HIGHER SENSITIVITY AND VACUUM SENSOR ON ITS BASIS</title><date>2014-02-10</date><risdate>2014</risdate><abstract>FIELD: measurement equipment.SUBSTANCE: invention relates to measuring technique. A method of manufacturing a vacuum sensor with nanostructure hypersensitivity is that the heterostructure formed of different materials, in which a semiconductor thin film resistor is formed, whereupon it is fixed in the sensor housing, and contact pads connected to the housing by means of pin contacts of the conductors. A semiconductor thin film resistor is formed as a mesh nanostructure (SiO)20% (SnO)80% by applying the orthosilicic acid sol comprising tin hydroxide on a silicon substrate using a centrifuge and subsequent annealing, which is prepared in two stages, at the first stage they mix tetraethoxysilane and ethyl alcohol, and then in the second step the resultant solution is introduced into distilled water, hydrochloric acid and stannous chloride dihydrate (SnCl· 2HO) in certain ratios.EFFECT: invention provides for increased sensitivity of a vacuum sensor.2 cl, 4 dwg
Изобретение относится к измерительной технике. Способ изготовления датчика вакуума с наноструктурой повышенной чувствительности заключается в том, что образуют гетероструктуру из различных материалов, в которой формируют тонкопленочный полупроводниковый резистор, после чего ее закрепляют в корпусе датчика, а контактные площадки соединяют с выводами корпуса при помощи контактных проводников. Тонкопленочный полупроводниковый резистор формируют в виде сетчатой наноструктуры (SiO)(SnO)путем нанесения золя ортокремниевой кислоты, содержащего гидроксид олова, на подложку из кремния с помощью центрифуги и последующим отжигом, который приготавливают в два этапа, на первом этапе смешивают тетраэтоксисилан и этиловый спирт, затем на втором этапе в полученный раствор вводят дистиллированную воду, соляную кислоту и двухводный хлорид олова (SnCl·2HO) в определенных соотношениях. Изобретение обеспечивает повышение чувствительности датчика вакуума. 2 н.п. ф-лы, 4 ил.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
| fulltext | fulltext_linktorsrc |
| identifier | |
| ispartof | |
| issn | |
| language | eng ; rus |
| recordid | cdi_epo_espacenet_RU2506659C2 |
| source | esp@cenet |
| subjects | BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF MEASURING MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER,MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE NANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS,MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES ASDISCRETE UNITS NANOTECHNOLOGY PERFORMING OPERATIONS PHYSICS SEMICONDUCTOR DEVICES TESTING TRANSPORTING |
| title | METHOD TO MANUFACTURE VACUUM SENSOR WITH NANOSTRUCTURE HIGHER SENSITIVITY AND VACUUM SENSOR ON ITS BASIS |
| url | https://sfx.bib-bvb.de/sfx_tum?ctx_ver=Z39.88-2004&ctx_enc=info:ofi/enc:UTF-8&ctx_tim=2025-02-01T06%3A03%3A03IST&url_ver=Z39.88-2004&url_ctx_fmt=infofi/fmt:kev:mtx:ctx&rfr_id=info:sid/primo.exlibrisgroup.com:primo3-Article-epo_EVB&rft_val_fmt=info:ofi/fmt:kev:mtx:patent&rft.genre=patent&rft.au=PECHERSKAJA%20RIMMA%20MIKHAJLOVNA&rft.date=2014-02-10&rft_id=info:doi/&rft_dat=%3Cepo_EVB%3ERU2506659C2%3C/epo_EVB%3E%3Curl%3E%3C/url%3E&disable_directlink=true&sfx.directlink=off&sfx.report_link=0&rft_id=info:oai/&rft_id=info:pmid/&rfr_iscdi=true |