METHOD TO MANUFACTURE VACUUM SENSOR WITH NANOSTRUCTURE HIGHER SENSITIVITY AND VACUUM SENSOR ON ITS BASIS

FIELD: measurement equipment.SUBSTANCE: invention relates to measuring technique. A method of manufacturing a vacuum sensor with nanostructure hypersensitivity is that the heterostructure formed of different materials, in which a semiconductor thin film resistor is formed, whereupon it is fixed in the sensor housing, and contact pads connected to the housing by means of pin contacts of the conductors. A semiconductor thin film resistor is formed as a mesh nanostructure (SiO)20% (SnO)80% by applying the orthosilicic acid sol comprising tin hydroxide on a silicon substrate using a centrifuge and subsequent annealing, which is prepared in two stages, at the first stage they mix tetraethoxysilane and ethyl alcohol, and then in the second step the resultant solution is introduced into distilled water, hydrochloric acid and stannous chloride dihydrate (SnCl· 2HO) in certain ratios.EFFECT: invention provides for increased sensitivity of a vacuum sensor.2 cl, 4 dwg Изобретение относится к измерительной технике. Способ изготовления датчика вакуума с наноструктурой повышенной чувствительности заключается в том, что образуют гетероструктуру из различных материалов, в которой формируют тонкопленочный полупроводниковый резистор, после чего ее закрепляют в корпусе датчика, а контактные площадки соединяют с выводами корпуса при помощи контактных проводников. Тонкопленочный полупроводниковый резистор формируют в виде сетчатой наноструктуры (SiO)(SnO)путем нанесения золя ортокремниевой кислоты, содержащего гидроксид олова, на подложку из кремния с помощью центрифуги и последующим отжигом, который приготавливают в два этапа, на первом этапе смешивают тетраэтоксисилан и этиловый спирт, затем на втором этапе в полученный раствор вводят дистиллированную воду, соляную кислоту и двухводный хлорид олова (SnCl·2HO) в определенных соотношениях. Изобретение обеспечивает повышение чувствительности датчика вакуума. 2 н.п. ф-лы, 4 ил.