METHOD OF OBTAINING SILICOPHOSPHATE PROTON-CONDUCTING MATERIAL, MAINLY FOR MEMBRANES OF FUEL ELEMENTS (VERSIONS)
FIELD: chemistry.SUBSTANCE: silicophosphate proton-conducting material is obtained by sol-gel method. Initial substances for method realisation are: tetraethoxysilane, ethanol, orthophosphoric acid, sulfuric acid, quaternary ammonium salt with nitrogen-containing heterocycles with one or two nitroge...
Gespeichert in:
Hauptverfasser: | , |
---|---|
Format: | Patent |
Sprache: | eng ; rus |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext bestellen |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Zusammenfassung: | FIELD: chemistry.SUBSTANCE: silicophosphate proton-conducting material is obtained by sol-gel method. Initial substances for method realisation are: tetraethoxysilane, ethanol, orthophosphoric acid, sulfuric acid, quaternary ammonium salt with nitrogen-containing heterocycles with one or two nitrogen atoms, water. 3 versions of obtaining have been elaborated. Target material is obtained in form of film of different thickness.EFFECT: providing possibility of obtaining silicophosphate proton-conducting material in form of strong film with minimal thickness 100-200 mcm, preservation of high proton conductivity of material in broad temperature range.9 cl, 9 ex, 2 tbl
Настоящее изобретение относится к способу получения силикофосфатного протонпроводящего материала и может быть использовано для изготовления мембран топливных элементов. Силикофосфатный протонпроводящий материал получен золь-гель методом. Исходные вещества для осуществления способа: тетраэтоксисилан, этанол, ортофосфорная кислота, серная кислота, четвертичная соль аммония с азотсодержащими гетероциклами с одним или двумя атомами азота, вода. Разработаны 3 варианта способа получения. Целевой материал получают в виде пленки различной толщины. Техническим результатом является обеспечение возможности получения силикофосфатного протонпроводящего материала в виде прочной пленки с минимальной толщиной 100-200 мкм, а также сохранение высокой протонной проводимости материала в широком температурном диапазоне. 3 н. и 6 з.п. ф-лы, 9 пр., 2 табл. |
---|