PROTECTIVE MICROWAVE DEVICE
FIELD: radio engineering, communication.SUBSTANCE: protective microwave device has a centre conductor, one end of which is meant for input of a microwave signal and the other for output, a transmission line section connected to said centre conductor, a semiconductor device in form of a Schottky-barr...
Gespeichert in:
Hauptverfasser: | , , , , |
---|---|
Format: | Patent |
Sprache: | eng ; rus |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext bestellen |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Zusammenfassung: | FIELD: radio engineering, communication.SUBSTANCE: protective microwave device has a centre conductor, one end of which is meant for input of a microwave signal and the other for output, a transmission line section connected to said centre conductor, a semiconductor device in form of a Schottky-barrier field-effect transistor connected to the other end of the transmission line section, a resistor connected in parallel to the semiconductor device, a capacitor and an inductor; the transmission line section is in form of a section of a single transmission line whose length is equal to one eighth of the wavelength in the transmission line section at the centre frequency of the operating frequency band, and whose wave impedance is equal to twice the wave impedance of the centre conductor, wherein values of the capacitor C and inductor L and resistance of the resistor are selected in accordance with given relationships.EFFECT: wider operating frequency band and reduced direct microwave losses while maintaining acceptable input power.4 dwg
Изобретение относится к электронной технике СВЧ. Достигаемый технический результат - расширение рабочей полосы частот и снижение прямых потерь СВЧ при сохранении допустимой входной мощности. Защитное устройство СВЧ содержит центральный проводник, один конец которого предназначен для входа сигнала СВЧ, другой - для выхода, соединенный с ним отрезок линии передачи, полупроводниковый прибор, выполненный в виде полевого транзистора с барьером Шотки, соединенный с другим концом отрезка линии передачи, резистор, включенный параллельно полупроводниковому прибору, емкость и индуктивность, отрезок линии передачи выполнен в виде отрезка одиночной линии передачи длиной, равной одной восьмой длины волны в отрезке линии передачи на центральной частоте рабочей полосы частот, и волновым сопротивлением, равным удвоенному значению волнового сопротивления центрального проводника, при этом величины емкости С и индуктивности L и сопротивление резистора выбраны в соответствии с заданными соотношениями. 4 ил. |
---|